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Tema 3 – Transistor de Unión Bipolar (BJT). Rev 2

TEMA 3
TRANSISTORES DE UNION
BIPOLAR (BJT)
Profesores:
Germán Villalba Madrid
Miguel A. Zamora Izquierdo
Departamento de Ingeniería de la Información y Comunicaciones
Universidad de Murcia

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Tema 3 – Transistor de Unión Bipolar (BJT). Rev 2

CONTENIDO
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Introducción
El transistor de unión bipolar (BJT)Configuraciones del transistor BJT.
Definición de los estados del transistor BJT.
Configuración del BJT en Emisor Común.
Circuitos de polarización. Rectas de carga estática.
El BJT en conmutación.

Departamento de Ingeniería de la Información y Comunicaciones
Universidad de Murcia

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INTRODUCCION
• BJT (Bipolar Junction Transistor)• Los transistores de unión bipolares, son dispositivos de estado sólido
de tres terminales, núcleo de circuitos de conmutación y procesado de
señal.
• El transistor se ha convertido en el dispositivo más empleado en
electrónica, a la vez que se han ido incrementando sus capacidades
de manejar potencias y frecuencias elevadas, con gran fiabilidad. (No
existe desgaste por partes móviles).• Los transistores son dispositivos activos con características altamente
no lineales.

• Efecto Transistor: el transistor es un dispositivo cuya resistencia
interna puede variar en función de la señal de entrada. Esta variación
de resistencia provoca que sea capaz de regular la corriente que
circula por el circuito al que está conectado. (Transfer Resistor).
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CONSTITUCION INTERNA DE UN BJT
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Es un dispositivo de tres terminales, equivalente a dos diodos PN unidos en
sentido opuesto.(Emisor, Base y Colector)
En función de la situación de las uniones, existen dos tipos: NPN y PNP.
La unión correspondiente a laBase-Emisor, se polariza en directa; y la BaseColector en inversa. Así, por la unión Base-Colector circula una corriente
inversa.
En npn, la región de emisor tiene
mayor dopaje que la base. Al
polarizar la unión Base-Emisor en
directa, y la Base-Colector en
inversa, los electrones libres que
proceden del emisor llegan a la
base, con mucho menor número de
huecos, por lo que son atraídos por
elcolector (con alta concentración
de impurezas).

N

P

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P

N

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TRANSISTOR BIPOLAR npn
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Está formado por una capa fina tipo p
entre dos capas n, contenidas en un
mismo cristal semiconductor de germanio
osilicio, presentando las tres zonas
mencionadas (E, B, C).
El emisor emite portadores de carga hacia
el interior de la base.
En la base se gobiernan dichos portadores.
En el colector se recogen los portadores
que no puede acaparar la base.
Unión emisor: es la unión pn entre la base
y el emisor.
Unión colector: es la unión pn entre la
base y colector.
Cada una de las zonas estáimpurificada en mayor o menor grado. La base
100 veces menos que el colector o emisor.
La base tiene menor tamaño, después el emisor y a 2 veces de espesor el
colector.
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TRANSISTOR BIPOLAR pnp
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El BJT pnp está formado también
por un cristalsemiconductor con
tres regiones definidas por el tipo
de impurezas.
• Las tensiones de continua aplicadas
son opuestas a las del npn.
• Las corrientes fluyen en sentido
contrario al del npn.
• Por lo demás, este dispositivo es
similar al npn.
El BJT pnp desde el emisor emite huecos, controlada por la base. El
exceso de huecos que no pueden recombinarse en la base van a
parar al colector....