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Tema 2. Transistores Bipolares de Unión (TBU)
1. INTRODUCCION El Transistor Bipolar de Unión (TBU): Dispositivo formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una regiónmuy estrecha, posee tres terminales, equivalente a dos diodos PN unidos en sentido opuesto. Muy empleado en electrónica, por su manejo de potencia y frecuencias elevadas. Posee característicasaltamente no lineales. Varían su resistencia interna en función de la señal de entrada. Regular la corriente que circula por el circuito. El transistor esta compuesto por tres zonas de dopado Emisor, estafuertemente dopada, comportándose como un metal. Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector. Colector, de extensión mucho mayor.
Base Colector C B E Emisor

Colector BaseProf. Raquel Frías

Emisor

Tema 2. Transistores Bipolares de Unión (TBU)
2. CONSTRUCCIÓN DEL TBU En función de la situación de las uniones, existen dos tipos: NPN y PNP. Transistor Bipolar npnEstá formado por una capa fina tipo p entre dos capas n, contenidas en un mismo cristal semiconductor de germanio o silicio, presentando las tres zonas (E, B, C).
Colector C N iB Base P N B + vBE EEmisor
Prof. Raquel Frías

Transistor Bipolar pnp Está formado por un cristal semiconductor con tres regiones definidas por el tipo de impurezas. Las tensiones de continua aplicadas son opuestas alas del npn. Las corrientes fluyen en sentido contrario al del npn.
Emisor E

iC + vCE iE Base

P N P B -

iE iB vCB + C + vEC iC

Colector

Tema 2. Transistores Bipolares de Unión (TBU)3. FUNCIONAMIENTO DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES Polarización del TBU Si se conectan fuentes de tensión externas para polarizar al transistor, se obtienen 3 configuraciones: Base común (BC). Emisor común(EC). Colector común (CC).

vEB

vCB

vBE

vCE vBC

vEC

Cada una de estas configuraciones a su vez pueden trabajar en 4 zonas diferentes: Zona Activa Saturación Corte Activa Inversa...