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AMPLIACIÓN

FICHA 14

TRANSISTORES BIPOLARES NPN I. CURVAS CARACTERÍSTICAS
VBB

El estudio detallado del funcionamiento deltransistor es complicado porque,
en realidad, cada uno de sus parámetros está relacionado con todos los demás.
Esas relaciones son complejas y, además, varían según el modelo de transistor.
Paradescribir las relaciones entre los parámetros de un modelo especifico
de transistor, los fabricantes ofrecen unas gráficas llamadas curvas características.
Nos servirán además para estudiar en detalle losmodos de funcionamiento
del transistor.
Las curvas más utilizadas en la práctica son las siguientes:

VCC

RC
RB

Montaje EC de un transistor NPN.

CURVA CARACTERÍSTICA DE ENTRADA
Es larepresentación gráfica de IB en función de VBE, que son
los parámetros básicos del circuito de entrada.
Se obtiene anotando los valores de IB y VBE mientras se varía
el voltaje VBB y se mantieneconstante VCE. Su aspecto
no varía con otros valores de VCE.
Su forma es exponencial: en un transistor de silicio, el valor
de IB aumenta rapidísimamente cuando VBE es ligeramente
superior a 0,7 V.IB

VBE

0,7 V

Curva característica de entrada para un transistor de silicio.

CURVA CARACTERÍSTICA DE SALIDA
Es la representación gráfica de IC en función de VCE
que son los parámetrosbásicos del circuito de salida.
Se obtiene fijando el valor de VBB (y, por tanto, el de IB)
y anotando los valores de IC y VCE mientras variamos
el voltaje VCC.

IC (mA)
IB = 250 μA
IB = 150 μA20

IB = 100 μA

10

IB = 0 μA
VCE (V)

0,2

Curvas características de salida
para distintos valores de I B.

CURVA CARACTERÍSTICA DE TRANSFERENCIA
Es la representación gráfica de ICen función de IB.
Se obtiene fijando el valor de VCE y anotando los valores
de IC e IB mientras variamos el voltaje VBB.
Puede observarse una región lineal en cada curva.

IC (mA)

VCE = 10...