Pablo Neruda

Transistores MOSFET
Introducción
Viene de las iniciales inglesas Metal Oxide Semiconductor Fiel EffectTransistor que significa transistor de efecto de campo metal-óxido semiconductor
El transistor de efecto de campo MOS,también denominado MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales denominados drenador(D,Drain),puerta(G,Gate) , surtidor o fuente (S,Source) y el sustrato(B,Bulk) y estos a suvez se encuentra en su mayoría compuesto por una capa de óxido de silicio como dieléctrico, y un semiconductor como segunda placa del condensador.
Su funcionamiento se basa en la corriente que circula entre drenador y surtidor es contralada por la tensión aplicada a la puerta la cual funciona como un interruptor , en la cual si no se le aplica la suficiente tensión la puerta seguirá abierta y nopermitirá el paso de la corriente. Pero algunos tipos de transistores el sustrato generalmente está conectado internamente a la terminal del surtidor, y por este motivo se pueden encontrar dispositivos de tres terminales similares a otros campo. Estos dispositivos de efecto de campo que utilizan un campo eléctrico para crear una canal de conducción. Estos dispositivos son más importantes que losJFET ya que la mayor parte de los circuitos integrados digitales se construyen con la tecnología MOS.


El transistor MOSFET tiene tres estados de funcionamiento:

Estado de corte
Cuando la tensión de la puerta es idéntica a la del sustrato, el MOSFET está en estado de no conducción: ninguna corriente fluye entre la fuente y drenador aunque se aplique una diferencia de potencial entreambos. También se llama mosfet a los aislados por juntura de dos componentes.
Conducción lineal
Si polarizamos la puerta con una tensión negativa (pMOS) o positiva (nMOS), se crea una región de deplexión en la región que separa la fuente y el drenador. Si esta tensión crece lo suficiente, aparecerán portadores minoritarios en la región de deplexión que darán lugar a un canal de conducción.
Eltransistor pasa entonces a estado de conducción, de modo que una diferencia de potencial entre fuente y drenador dará lugar a una corriente. El transistor se comporta como una resistencia controlada por la tensión de puerta.
Saturación
Cuando la tensión entre drenador y fuente supera cierto límite, el canal de conducción bajo la puerta sufre un estrangulamiento en las cercanías del drenador ydesaparece. La corriente entre fuente y drenador no se interrumpe, ya que es debida al campo eléctrico entre ambos, pero se hace independiente de la diferencia de potencial entre ambos terminales.
Tipos de MOSFET
Existen 2 tipos de Mosfet:
T.M Empobrecimiento
T.M Enriquecimiento

Y estos a su vez tienen 2 clases: canal N y canal P

D-MOSFET: MOSFET Tipo Decremental

Tienen un canal conductoren su estado de reposo, que se debe hacer desaparecer mediante la aplicación de la tensión eléctrica en la compuerta, lo cual ocasiona una disminución de la cantidad de portadores de carga y una disminución respectiva de la conductividad.










El Vgs no solamente es negativo si también toma valores positivos.
Para operar con este tipo de transistor solo se toma en cuenta que el Vgstambién acepta valores positivos.

Para la polarización de estos transistores se debe tener en cuenta que solo podemos utilizar división de voltajes y la ecuación de Schockley

Canal N

Tiene una impedancia alta de entrada, ya que en su interior está compuesto por una capa de oxido
[O2Si] que constituye un material aislante y es muy delgada, que no permite una conexión directa entre lacompuerta y el canal.




El dispositivo se muestra operando con voltaje compuerta-fuente positivo o negativo, los valores negativos de VGS reducen la corriente de drenaje hasta el voltaje de estrangulamiento después del cual no ocurre corriente de drenaje.
Las características de transferencia son las mismas para voltajes negativos compuerta- fuente, pero continúan para valores positivos de...