parametroa bjt
Páginas: 2 (368 palabras)
Publicado: 4 de mayo de 2013
Parámetros BJT
Modelo de parámetro h generalizado para un BJT NPN.
Reemplazar x con e, b o c para las topologías EC, BC y CC respectivamente.
Otro modelo comúnmente usado para analizar loscircuitos BJT es el modelo de parámetro h. Este modelo es un circuito equivalente a un transistor de unión bipolar y permite un fácil análisis del comportamiento del circuito, y puede ser usado paradesarrollar modelos más exactos. Como se muestra, el término "x" en el modelo representa el terminal del BJT dependiendo de la topología usada. Para el modo emisor-común los varios símbolos de la imagentoman los valores específicos de:
x = 'e' debido a que es una configuración emisor común.
Terminal 1 = Base
Terminal 2 = Colector
Terminal 3 = Emisor
iin = Corriente de Base (ib)
io = Corrientede Colector (ic)
Vin = Tensión Base-Emisor (VBE)
Vo = Tensión Colector-Emisor (VCE)
Y los parámetros h están dados por:
hix = hie - La impedancia de entrada del transistor (correspondiente a laresistencia del emisor re).
hrx = hre - Representa la dependencia de la curva IB–VBE del transistor en el valor de VCE. Es usualmente un valor muy pequeño y es generalmente despreciado (se consideracero).
hfx = hfe - La ganancia de corriente del transistor. Este parámetro es generalmente referido como hFE o como la ganancia de corriente continua (βDC) in en las hojas de datos.
hox = hoe - Laimpedancia de salida del transistor. Este término es usualmente especificado como una admitancia, debiendo ser invertido para convertirlo a impedancia.
Como se ve, los parámetros h tienen subíndices enminúscula y por ende representan que las condiciones de análisis del circuito son con corrientes alternas. Para condiciones de corriente continua estos subíndices son expresados en mayúsculas. Para latopología emisor común, un aproximado del modelo de parámetro h es comúnmente utilizado ya que simplifica el análisis del circuito. Por esto los parámetros hoe y hre son ignorados (son tomados como...
Modelo de parámetro h generalizado para un BJT NPN.
Reemplazar x con e, b o c para las topologías EC, BC y CC respectivamente.
Otro modelo comúnmente usado para analizar loscircuitos BJT es el modelo de parámetro h. Este modelo es un circuito equivalente a un transistor de unión bipolar y permite un fácil análisis del comportamiento del circuito, y puede ser usado paradesarrollar modelos más exactos. Como se muestra, el término "x" en el modelo representa el terminal del BJT dependiendo de la topología usada. Para el modo emisor-común los varios símbolos de la imagentoman los valores específicos de:
x = 'e' debido a que es una configuración emisor común.
Terminal 1 = Base
Terminal 2 = Colector
Terminal 3 = Emisor
iin = Corriente de Base (ib)
io = Corrientede Colector (ic)
Vin = Tensión Base-Emisor (VBE)
Vo = Tensión Colector-Emisor (VCE)
Y los parámetros h están dados por:
hix = hie - La impedancia de entrada del transistor (correspondiente a laresistencia del emisor re).
hrx = hre - Representa la dependencia de la curva IB–VBE del transistor en el valor de VCE. Es usualmente un valor muy pequeño y es generalmente despreciado (se consideracero).
hfx = hfe - La ganancia de corriente del transistor. Este parámetro es generalmente referido como hFE o como la ganancia de corriente continua (βDC) in en las hojas de datos.
hox = hoe - Laimpedancia de salida del transistor. Este término es usualmente especificado como una admitancia, debiendo ser invertido para convertirlo a impedancia.
Como se ve, los parámetros h tienen subíndices enminúscula y por ende representan que las condiciones de análisis del circuito son con corrientes alternas. Para condiciones de corriente continua estos subíndices son expresados en mayúsculas. Para latopología emisor común, un aproximado del modelo de parámetro h es comúnmente utilizado ya que simplifica el análisis del circuito. Por esto los parámetros hoe y hre son ignorados (son tomados como...
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