perifericos

LABORATORIOS DE:
DISPOSITIVOS DE ALMACENAMIENTO Y DE ENTRADA/SALIDA.
MEMORIAS Y PERIFÉRICOS.

PRÁCTICA #4
MEMORIAS DE LECTURA – ESCRITURA SEMICONDUCTORAS



OBJETIVO DE LA PRÁCTICA.


Comprenderla estructura y el funcionamiento interno de las memorias de lectura escritura semiconductoras.

Implementar una memoria RAM de 2 x 2, utilizando para ello principalmente circuitos de baja y mediaescala de integración.

Emplear las propiedades del buffer “tres estados”, para entender la configuración “bus bidireccional” presente en la mayoría de los dispositivos de almacenamiento (memorias).INTRODUCCIÓN.


A las memorias de lectura - escritura semiconductoras se les conoce también como memorias RAM (Random Access Memory) en donde el tiempo de acceso para cualquier localidad es elmismo o sea es una constante, no importando que localidad se quiera acceder. Cabe hacer la aclaración que las memorias ROMs son también memorias de acceso aleatorio.


Existen dos tipos de memorias delectura - escritura semiconductoras, las RAM estáticas y las RAM dinámicas, en las primeras el elemento de almacenamiento es el circuito biestable o flip - flop, el cual mantiene la información mientraseste conectado a la fuente de alimentación, en cambio en las celdas de la memoria RAM dinámicas, el elemento de almacenamiento es la capacitancia parásita que existe entre el gate y el source de lostransistores mosfet, por lo cual la información se mantendrá por algunos milisegundos sin degradación notable, teniéndose que efectuar a continuación el proceso de refresco, el cual consiste enrecargar aquellas capacitancias que presenten un voltaje alto.


En las memorias ROM, RAM estáticas y RAM dinámicas de construcción monolítica, podremos observar que el flujo de datos desde la memoria haciaexterior y desde el exterior hacia la memoria se realiza por líneas bidireccionales, es decir, un chip de memoria con la capacidad de guardar una palabra de longitud 8 bits, solo presentara 8 líneas...