piratas de sillicon

Páginas: 3 (564 palabras) Publicado: 3 de noviembre de 2014
La producción de circuitos integrados (ICs) requiere grandes cantidades de capital humano y financiero y está en constante evolución, pero unos pocos pasos fundamentales son prominentes. Loscircuitos están construidos en obleas de silicio puro, por lo que una clave para la producción de circuitos integrados es la fabricación inicial de obleas de gran tamaño en donde se puedan construir múltiplescircuitos integrados. La fotolitografía se utilizará para construir cientos de circuitos integrados en cada oblea y luego estos circuitos se separan
Instrucciones
Producción de obleas de silicioProduce silicio puro por el crecimiento de un cristal de silicio de gran tamaño. Calienta el silicio a una temperatura elevada de alrededor de 1.400 grados centígrados en un crisol, y luegolentamente extrae un único cristal puro, típicamente de 200 milímetros de diámetro desde el centro de la cuba de rotación. Enfría este cristal cilíndrico de gran tamaño, y luego corta con cuidado en finasobleas de menos de un milímetro de espesor. Mantén la superficie de la oblea plana para tolerancias muy precisas. Trata cada oblea con óxido de silicio, que actúa como un agente aislante.

Inicia laprimera etapa de fotolitografía con una brillante luz ultravioleta (UV) a través de una máscara que coincida con eldiagrama del circuito de cada oblea. Cubre la oblea entera con una capa protectora quesea sensible a la luz UV. Realiza este proceso en una sala limpia donde se ha eliminado todo el polvo con filtro de aire como en la habitación de un hospital.

Construye la primera capa del circuitocon la luz UV brillando a través de la primera máscara, colocada en la parte superior del chip recubierto. El patrón de la máscara permite que caiga un poco de luz en el chip y degrade sólo las áreasdescritas por la máscara. Elabora el chip, eliminando las zonas recubiertas degradadas y dejando un patrón.

Graba el chip con productos químicos. En este proceso, la capa aislante de óxido de...
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