pmos

TRANSISTOR PMOS


Transistor PMOS



Los transistores NMOS y los PMOS tienen un comportamiento diferente. Estas diferencias son importantes tenerlas en cuenta ya que para transistores deiguales dimensiones un tipo es capaz de proporcionar hasta el doble de corriente de drenador que el otro, además, otra característica importante que los difiere es que un tipo transfiere mejor el nivellógico que el otro.

Para generar un transistor PMOS en un sustrato tipo P necesitaremos crear un pozo n, desde la paleta boton N Well, ahora dentro del N Well haremos clic en Polysilicon y creamosun rectangulo que será la puerta (Gate) y por ultimo seleccionamos P+ Diffusion y dibujamos un cuadrado que atraviese de forma transversal a la puerta de polisilicio.












Opodemos usar de forma más cómoda y automática el Layout Generator:



Para ver que sigue la estructura típica de un transistor PMOS, usamos la herramienta de corte transversal , podemos seleccionaren el menu simulate à 2D vertical cross-section para verla.




Tenemos dibujados los dos transistores y se muestra como quedarían realmente con sus contactos físicos, estos contactos los podemoscrear nosotros o dejar que los genere automáticamente el generador MOS.













Gráfica característica del comportamiento estático de un transistor PMOS:

Graficacaracterística del comportamiento dinámico de un transistor PMOS:








Los resultados del transistor PMOS son:


Estos dos componentes son los más importantes y utilizados para cualquier diseño, losparámetros mas importantes de un circuito integrado son el resultado de la tecnología utilizada para su creación. En la siguiente tabla vemos como en la tecnología de 130nm podemos tener en 1mm2 240transistores y en la de 22nm nos caben 4500. Cuanto mas pequeño es el transistor menos energía necesita para funcionar y para disipar. Menos consumo mayor potencia.
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