Polarización Del Fet
Páginas: 3 (614 palabras)
Publicado: 30 de octubre de 2012
POLARIZACIÓN DEL FET
* MARCO TEÓRICO
Los Amplificadores con transistores en efecto de campo proporcionan una excelente ganancia de voltaje aunada a la característica de una alta impedancia deentrada. Además, se trata de configuraciones bajo consumo de potencia con un buen rango de potencia, tamaño y peso mínimo. Los dispositivos JFET y el MOSFET de decremento pueden utilizarse para diseñaramplificadores que tengan ganancias similares. De voltaje. Sin embargo, el circuito con MOSFET decremental tiene una impedancia de entrada mucho mayor que una configuración JFET similar.
Eldispositivo FET controla una corriente de salida (drenaje) mediante un pequeño voltaje de entrada (voltaje en la compuerta). El FET puede utilizarse como un amplificador lineal o como un dispositivodigital en los circuitos lógicos. Estos dispositivos también pueden utilizarse en las aplicaciones de alta frecuencia y en las aplicaciones de acoplamiento (interfaces).
Aun que la configuración defuente común es la mas popular al proporcionar una señal invertida y amplificada. También existen circuitos de drenaje común (fuente–seguidor) que proporcionan una ganancia unitaria sin inversión.
Lasrelaciones generales que se pueden aplicarse al análisis en dc de todos los amplificadore aFET son:
La ecuacion de Shockley se aploca con objeto de relacionar las cantidades de entrada y de salidaparlos los JFEt y los MOSFET de tipo decremental:
Para los MOsfet de tipo incremental puede aplicarse la siguiente ecuacion
CONFIGURACIÓN DE POLARIZACIÓN FIJA
En la figura 6.1 aparece el arreglode polarización mas simple para el JFET de canal –n conocido como la configuración de polarización fija, la cual es una de las pocas configuraciones a FET que se pueden resolver directamente tantocon un método matemático como con un grafico.
El hecho que la terminal negativa de la batería este conectada en forma directa al potencial positivo definido VGS refleja que la polarización de VGS...
* MARCO TEÓRICO
Los Amplificadores con transistores en efecto de campo proporcionan una excelente ganancia de voltaje aunada a la característica de una alta impedancia deentrada. Además, se trata de configuraciones bajo consumo de potencia con un buen rango de potencia, tamaño y peso mínimo. Los dispositivos JFET y el MOSFET de decremento pueden utilizarse para diseñaramplificadores que tengan ganancias similares. De voltaje. Sin embargo, el circuito con MOSFET decremental tiene una impedancia de entrada mucho mayor que una configuración JFET similar.
Eldispositivo FET controla una corriente de salida (drenaje) mediante un pequeño voltaje de entrada (voltaje en la compuerta). El FET puede utilizarse como un amplificador lineal o como un dispositivodigital en los circuitos lógicos. Estos dispositivos también pueden utilizarse en las aplicaciones de alta frecuencia y en las aplicaciones de acoplamiento (interfaces).
Aun que la configuración defuente común es la mas popular al proporcionar una señal invertida y amplificada. También existen circuitos de drenaje común (fuente–seguidor) que proporcionan una ganancia unitaria sin inversión.
Lasrelaciones generales que se pueden aplicarse al análisis en dc de todos los amplificadore aFET son:
La ecuacion de Shockley se aploca con objeto de relacionar las cantidades de entrada y de salidaparlos los JFEt y los MOSFET de tipo decremental:
Para los MOsfet de tipo incremental puede aplicarse la siguiente ecuacion
CONFIGURACIÓN DE POLARIZACIÓN FIJA
En la figura 6.1 aparece el arreglode polarización mas simple para el JFET de canal –n conocido como la configuración de polarización fija, la cual es una de las pocas configuraciones a FET que se pueden resolver directamente tantocon un método matemático como con un grafico.
El hecho que la terminal negativa de la batería este conectada en forma directa al potencial positivo definido VGS refleja que la polarización de VGS...
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