Polarización fija del bjt

Marco teórico
BJT: Transistor bipolar de unión.
Es aquel dispositivo electrónico que está constituido por tres materiales semiconductores extrínseco, de forma PNP o NPN, es decir, porción dematerial N, seguido de material P, luego otra porción de material N, en el tipo NPN, y de forma análoga en el PNP, pero con los materiales semiconductores inversos. El transistor BJT se conoce también comotransistor bipolar, porque la conducción es a través de huecos y electrones.
La zona central se denomina base, las otras dos se denominan colector y emisor. El emisor se construye estrecho y muydopado, la base es estrecha y menos dopada y el colector es la zona más ancha. Para proteger el material semiconductor, se emplean el encapsulado, que puede ser plástico, de baquelita o metálico. A pesarde la poca disipación de energía que tienen los transistores en determinadas ocasiones es necesario el empleo de disipadores de calor para favorecer la ventilación del transistor.Polarización del transistor
El transistor sin polarizar se puede considerarse como dos diodos contrapuestos, con una barrera de potencial de 0,7 V para cada diodo. Si se polariza ambos diodos directa oinversamente, se comportarán permitiendo o no el paso de la corriente como se sabe. El efecto de amplificación en el transistor se crea al polarizar directamente la unión base-emisor e inversamente launión colector-base.
Al estar la unión de emisor polarizada directamente, permite el paso de huecos (Ipe) del emisor a la base, así como de electrones (Ine) que pasan de la base al emisor. La relaciónentre la corriente de huecos y la corriente de electrones es proporcional a las conductividades de los materiales P y N; en los transistores comerciales el dopado del emisor es mucho mayor, por lo quela corriente en un transistor p-n-p está practicamente constituida por huecos.

La polarización de la unión de colector hace que los huecos que atraviesan la unión de emisor se vean atraídos por...