polarizacion BJT

Páginas: 3 (702 palabras) Publicado: 7 de julio de 2013







Especialidad: Electrónica – EO
Curso: ELECTRONICA ANALOGICA
Ciclo: 3º
Sección: 10383EO
Profesor: Marco Antonio Vásquez Blas
Integrantes: Angulo Sánchez, AlfonsoGuerra Jacobo, Marcos Jesús
Pimentel Ysla, Gloriamaría










Polarizacion
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la región del ánodo compartida.






Enuna operación típica, la unión base-emisor está polarizada en directa y la unión base-colector está polarizada en inversa.

Ejemplo en un transistor NPN.
Cuando una tensión positiva es aplicada enla unión base-emisor, el equilibrio se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados térmicamente inyectarse en la región de la base. Estos electrones "vagan" a través de la base, desde laregión de alta concentración cercana alemisor hasta la región de baja concentración cercana al colector. Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la base está dopadacon material P, los cuales generan "huecos" como portadores mayoritarios en la base.





El factor beta.
Una forma de medir la eficiencia del BJT es a través de la proporción de electronescapaces de cruzar la base y alcanzar el colector. La ganancia de corriente emisor común está representada por F o por hfe. Esto es aproximadamente la tasa de corriente continua de colector a la corrientecontinua de la base en la región activa directa y es típicamente mayor a 100.

Regiones operativas del transistor.
Región de corte.
Un transistor está en corte cuando: corriente de colector =corriente de emisor = 0, (Ic= Ie = 0) En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentación del circuito.

Región de Saturación.
Un transistor estásaturado cuando: corriente de colector = corriente de emisor =corriente máxima, (Ic = Ie = IMáxima)En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentación del circuito y de las...
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