Polarizacion De Fet

Práctica IV
Polarización del FET


INTRODUCCION – El transistor JFET (Junction Field Effect Transistor) es un dispositivo en el cual un pequeño voltaje de entrada controla el voltaje de salida.El JFET esta constituido por una barra de silicio tipo N introducido en un anillo de silicio tipo P. Las terminales en el canal N son Source (S), Drain (D) y en el anillo Gate (G). Inicialmente lacorriente circula por la compuerta, pero después circula del Source al Drain. Para realizar el control de la corriente se aplica un voltaje de polarización inverso entre la compuerta (G) y el surtidor(S). Si se aumenta el voltaje inverso, aumenta el campo eléctrico y disminuye la corriente entre S y D.

I. Objetivos
Verificar el funcionamiento de un JFET y experimentar con circuitos depolarización del JFET.

II. Material Utilizado
* 2 fuentes de voltaje ajustable de 0 a 15V.
* Transistor 2n3904
* Multimetro
* JFET 2n5458
* LED
* Resistencias de diversosvalores
* Capacitores de diversos valores
* Potenciometro de 10K.

III. Desarrollo de Contenido

Se armaron los siguientes circuitos y se midio el voltaje y la corriene como se indica enlas tablas.

Resultados de la figura 1A
MAGNITUD | VALOR MEDIDO |
VDS | 8.40 V |
VGS | 0.1 V |
VGD | -7.3 V |
IS | -2 mA |
ID | -2 mA |
IG | 5 mA |

Resultados de la figura 1BMAGNITUD | VALOR MEDIDO |
VDS | 7.90 V |
VGS | -3 mV |
VGD | -8.30 V |
IS | -2 mA |
ID | 1 mA |
IG | -4 mA |

POLARIZACION FIJA

MAGNITUD | VALOR MEDIDO | VALOR CALCULADO |
VDS | 7,7 V |7.29 V |
VGS | 0.3 | 0.7 |
VGD | 5.2 | 7.99 |
IS | 1.15 mA | 1.35 |
ID | 1.19 mA | 1.35 |
IG | 4 micro | 111 micro |

AUTOPOLARIZACION

MAGNITUD | VALOR MEDIDO | VALOR CALCULADO |VDS | 168mV | 490mV |
VGS | 142mV | 490 mV |
VGD | 300 mV | 6 V |
IS | 0.52mA | 1.8 mA |
ID | 0.57 mA | 1.8 mA |
IG | 3 micro | 8.2 pico |

POLARIZACION POR DIVISOR DE TENSION

MAGNITUD...