Polarizacion de transistores bipolares

Páginas: 7 (1606 palabras) Publicado: 11 de febrero de 2012
UNIVERSIDAD FRANCISCO DE PAULA SANTANDER
Departamento de Electricidad y Electrónica
Plan de Estudios de Ingeniería Electromecánica
Laboratorio de Electrónica I
Práctica Nº 4: “POLARIZACION DE TRANSISTORES BIPOLARES”

OBJETIVOS
1. Evaluar e interpretar características fundamentales de transistores BJT.
2. Analizar un transistor bipolar, respecto de la medición de sus terminales.3. Verificar la polarización y Zonas de trabajo del transistor BJT.
4. Medir el punto Q de operación del transistor.
5. Observar el comportamiento del transistor en las zonas de corte y saturación.
6. Polarizar un transistor BJT npn para ubicar su punto de operación en la región activa, utilizando los circuito de polarización fija y divisor de voltaje.
7. Comprobar experimentalmente elnivel de estabilidad del punto de operación Q de un transistor BJT npn debido a los cambios de temperatura y los parámetros internos del dispositivo.

PREGUNTAS PREVIAS
1. ¿Explique el procedimiento a seguir para determinar el estado, tipo de transistor e Identificar cada uno de los terminales de los transistores bipolares?
La hoja de datos de los semiconductores es lo idóneo..

Primero,realizamos 6 lecturas con el multimetro en las 3 pines, de izquiera a derecha 1 2 y 3, primera medición negativo en 1 positivo en 2
segunda medición positivo en 1 negativo en 2
tercera medición negativo en 1 positivo en 3
cuarta medición positivo en 1 negativo en 3
quinta medición negativo en 2 positivo en 3
sexta medición positivo en 2 negativo en 3

si obtienes que solo dos lecturas sonconducción con valores entre a 0.3V y 1.5V si es un transistor bipolar, ahora, una de las terminales fué común a las dos lecturas, esa es la base del transistor, de las lecturas la más pequeña por fracciones mínimas, es el emisor, si la terminal común fué el negativo es PNP si la terminal común fué el positivo es NPN, ahora si una de las lecturas la grande, fué de más de 1V es decir entre 1 y 1.5 V es untransistor darlington, si las dos lecturas fueron inferiores a 0.4V es de germanio si las dos lecutras fueron de entre 0.4 y 1 V es de silicio.

Si lleva disipador de calor, el disipador es el colector.

Cualquier otra lecutra que te de, indicaria que no es un transistor bipolar, podria ser una amplia gama de cosas si es transitor de salida horizontal, por ejemplo, habrá que considerar eldamper y si tiene resistencia de base.
2. ¿Cuáles son las zonas de trabajo que tiene el transistor?

CORTE.- No circula intensidad por la Base, por lo que, la intensidad de Colector y Emisor también es nula.La tensión entre Colector y Emisor es la de la batería. El transistor, entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor abierto.
IB = IC = IE = 0; VCE = Vbat
SATURACION.- Cuando por laBase circula una intensidad, se aprecia un incremento de la corriente de colector considerable. En este caso el transistor entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor cerrado. De esta forma, se puede decir que la tensión de la batería se encuentra en la carga conectada en el Colector.
ACTIVA.- Actúa como amplificador. Puede dejar pasar más o menos corriente.
Cuando trabaja en lazona de corte y la de saturación se dice que trabaja en conmutación. En definitiva, como si fuera un interruptor.

3. ¿De que depende la corriente de colector en la FIG 2?
Depende del beta del transitor, del Voltaje Vcc, del Voltaje Vbe y de la Resistencia de Base

4. ¿De que depende la corriente de colector en la FIG 3?
Depende del Voltaje en la Base, del VBE, del Beta, de Rth y de RE

5.¿Por qué se utiliza una resistencia en emisor (Re) para estabilizar el punto Q?
Este tipo de polarizacion proporciona mayor estabilidad del punto Q de operación que la polarizacion fija.
El efecto de la retroalimentacion radica en el hecho de que si por alguna razon, Ic se incrementa, entonces el voltaje en RE aumenta, lo que a su vez produce decremento en la tension de RB. Si el voltaje de Rb...
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