Polarizacion de transistores de union bipolar

INSTITUTO TECNOLOGICO DE SONORA.


DEPARTAMENTO DE INGENIERIA ELECTRICA.




LABORATORIO DE DISPOSITIVOS 1.
PRACTICA 7
POLARIZACIÓN DE TRANSISTORES DE UNIÓN BIPOLAR






OBREGON SONORA




INDICE:
Resumen……………………………………………………………………………………..2
Introducción…………………………………………………………………………………3
Antecedentes teóricos……………………………………………………………………….4
Desarrollo,Análisis,Resultados…………………..……………………………………………………………….5
Conclusión…………………………………………………………………………………...9
Bibliografía…………………………………………………………………..…………….10
Apéndices……………………………………………………………….………………….11




















RESUMEN:
En esta práctica se observarán circuitos de polarización de unión bipolar BJT, se obtendrán las rectas de carga y se analizarán los puntos de operación de los transistores, así comotambién se calcularán las corrientes solicitadas y se medirán voltajes correspondientes.

























INTRODUCCIÓN:
En la presente práctica, como se mencionó con anterioridad, se tienen 2 objetivos a cumplir: analizar diferentes formas de circuitos de polarización de transistores de unión bipolar, y extraer su recta de carga. Para ello se implementarán loscircuitos que se muestran a detalle más adelante, y se realizarán sus respectivas mediciones.
























ANTECEDENTES TEÓRICOS:
Transistor BJT: El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) GART es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlarel paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.
Punto de operación BJT: Valores decorrientes y tensiones en continua en los terminales de un transistor se denomina punto de trabajo y se suele expresar por la letra Q (Quiescent operating point).




















DESARROLLO (DATOS OBTENIDOS Y CALCULADOS Y ANALISIS DE RESULTADOS):

1.- Se comenzó con el armado del circuito que a continuación se presenta:

Fig. 1.- Circuito de polarización emisor común.Para obtener las requeridas mediciones, se varió el voltaje VBB, esto con el fin de obtener los valores de VCE, IC e IB. A continuación se muestran los datos que fueron obtenidos.
Q1
VBB
IB(uA)
IC(mA)
VCE
hFE
0
0
0
12
0
1.22
5
.922
10.55
184.4
1.73
10
1.68
10.15
168
2.4
15
2.73
9
182
3.3
20
3.68
7.95
184
3.46
25
4.39
7.17
175.6
4.17
30
5.45
6
181.66
4.935
6.57
4.77
187.71
5.45
40
7.34
3.96
183.5
6.64
50
8.9
2.15
178
7.8
60
10.45
0.66
174.16

Tabla 1.1.- Mediciones para el circuito de polarización (Q1).


Seguido de esto, se repitieron las mediciones, pero para la realización de las mismas, se cambio el transistor por otro del mismo modelo, esto con el fin de ver la variación entre las mediciones ya mencionadas:Tabla 1.2.- Mediciones para el circuito de polarización (Q2).
Como se puede ver, los valores de corriente y voltaje tuvieron muy poca variación, esto debido a que eran transistores del mismo modelo, en este caso 2N2222, al igual que el valor de hFE, se mantuvo en un valor numérico constante.

2.- Se prosiguió con el armado del circuito que a continuación es mostrado:

Fig. 2.-Circuito de polarización con resistencia en emisor.

Para esto, se implemento el uso de una década de resistencias, esto para ahorrar el uso de las mismas:
RB(kΩ)
IB(uA)
IC(mA)
VCE
hFE
47
216
10.95
0.062
50.69
100
102
10.9
0.1
108.5
220
48
8.56
2.6
178
270
39.7
7.29
4.09
129
390
27.5
5.16
5.84
187
470
23.6
4.45
6.71
188.5
560
20
3.75
7.48
187.5
680...