Polarizacion De Transistores

polarización DE TRANSISTORES
I. OBJETIVO
Analizar el comportamiento de un transistor polarizado en DC.
II. MARCO TEORICO
El termino polarización es un término que comprende todo lo relacionado para la aplicación de voltajes de DC, que ayudan a establecer un nivel fijo de corriente y voltaje. Para los amplificadores a transistores el voltaje y corriente de DC resultantes establecen unpunto de operación sobre las características que definen una región que se utilizara para la amplificación de señal aplicada. Debido a que el punto de operación es un punto fijo sobre las características, también se le llama punto de reposo(abreviado unto Q, por la sigla en ingles de, quiescent point). La figura muestra una característica general de salida de un dispositivo con cuatro puntos deoperación indicados. El circuito de polarización puede diseñarse para establecer la operación del dispositivo en cualquiera de eso puntos o de otro modos dentro de al región activa. Los valores máximos están indicados en las características de la figura mediante una liena horizontal para la corriente máxima del colector ICmax, y una línea vertical cuando sea el voltaje máximo del colectro-emisoVCEmax. La restricción de máxima potencia se define por al curva PCmax en la misma figura. En el extremo inferior de las escalas se encuentra la región de corte, definida por IB ≤0μA, y la región de saturación, definida por VCE ≤ VCEsat.

El dispositivo BJT puede estar polarizado para operar fuera de estos límites máximos, pero el resultado de tal operación podría ser un recorte considerable de lavida del dispositivo, o bien la destrucción del dispositivo. Cuando se confían la región activa pueden seleccionarse muchas áreas o puntos de operación diferentes. El punto Q que se elige a menudo depende del empleo del circuito. De cualquier manera, se pueden considerar algunas diferencias entre diversos puntos mostrados en al figura para presentar algunas ideas básicas acerca del punto de operacióny por tanto, del circuito de polarización.

POLARIZACION POR DIVISOR DE VOLTAJE
En otras configuraciones de polarización (polarización directa base-emisor, polarización estabilizado en emisor) la corriente de polarización ICQ y el voltaje VCEQ de polarización eran una función de la ganancia de corriente (β) del transistor. Sin embargo, debido a que β es sensible a la temperatura,especialmente para los transistores de silicio, y de que el valor real de la beta por lo general, no esta bien definido, lo mejor sería desarrollar un circui8to que fuera menso dependiente, de hecho, independiente de la beta del transistor. La red a la que nos referimos es configuración de polarización por divisor de voltaje.

Análisis exacto

El lado de entrada de la red de al figura puede volver adibujarse según se muestra en la figura siguiente para el análisis en DC. LA red equivalente Thevenin a la izquierda de la terminal de la base puede encontrase de la siguiente manera:

RTh: LA fuente de voltaje se reemplaza por un corto circuito equivalente como se indica en la figura.

ETh: La fuente de voltaje VCC regresa al circuito y el voltaje de circuito abierto Thevenin de la figura secalcula de la siguiente manera:

Después se vuelve a dibujar la red Thevenin como se muestra en al figura e IBQ Puede calcularse al aplicar primero la ley de voltajes de Kirchhoff en al dirección de las manecillas el reloj para la malla que se indica:

Sustituyendo IE = (β+1)IB y resolviendo para IB

Una vez que IB se conoce, las cantidades restantes de la red pueden establecerse de la siguientemanera:

III. MATERIALES

Componente | Valor comercial | Valor medido |
1 resistencia de 100 Ω | 5% | 101 |
1 Transistor BC547B | ------------ | 747/751 |
2 resistencias de 1K Ω | 5% | 984/980 |
2 resistencias de 3.3K Ω | 5% | 3.23/3.2 |
1 resistencias de 4.7K Ω | 5% | 4.59 |
1 resistencia de 33K Ω | 5% | 32.2 |
1 resistencia de 47K Ω | 5% | 45.9 |
1 resistencia de 54K Ω...