Polarizacion del diodo semiconductor
Páginas: 3 (671 palabras)
Publicado: 28 de mayo de 2011
1.- MATERIAL Y/O SOFTWARE UTILIZADO
*Proteus
2.- MARCO TEORICO
POLARIZACIÓN DEL DIODO SEMICONDUCTOR
Polarización Directa
Si el terminal positivo de la fuente está conectado al material tipo p yel terminal negativo de la fuente está conectado al material tipo n, diremos que estamos en "Polarización Directa".
La conexión en polarización directa tendría esta forma:
En este caso tenemosuna corriente que circula con facilidad, debido a que la fuente obliga a que los electrones libres y huecos fluyan hacia la unión. Al moverse los electrones libres hacia la unión, se crean ionespositivos en el extremo derecho de la unión que atraerán a los electrones hacia el cristal desde el circuito externo.
Así los electrones libres pueden abandonar el terminal negativo de la fuente y fluirhacia el extremo derecho del cristal. El sentido de la corriente lo tomaremos siempre contrario al del electrón.
Lo que le sucede al electrón: Tras abandonar el terminal negativo de la fuente entrapor el extremo derecho del cristal. Se desplaza a través de la zona n como electrón libre.
En la unión se recombina con un hueco y se convierte en electrón de valencia. Se desplaza a través de la zonap como electrón de valencia. Tras abandonar el extremo izquierdo del cristal fluye al terminal positivo de la fuente.
Polarización inversa
Se invierte la polaridad de la fuente de continua, el diodose polariza en inversa, el terminal negativo de la batería conectado al lado p y el positivo al n, esta conexión se denomina "Polarización Inversa".
En la siguiente figura se muestra una conexiónen inversa:
El terminal negativo de la batería atrae a los huecos y el terminal positivo atrae a los electrones libres, así los huecos y los electrones libres se alejan de la unión y la z.c.e. seensancha.
A mayor anchura de la z.c.e. mayor diferencia de potencial, la zona de deplexión deja de aumentar cuando su diferencia de potencial es igual a la tensión inversa aplicada (V), entonces los...
*Proteus
2.- MARCO TEORICO
POLARIZACIÓN DEL DIODO SEMICONDUCTOR
Polarización Directa
Si el terminal positivo de la fuente está conectado al material tipo p yel terminal negativo de la fuente está conectado al material tipo n, diremos que estamos en "Polarización Directa".
La conexión en polarización directa tendría esta forma:
En este caso tenemosuna corriente que circula con facilidad, debido a que la fuente obliga a que los electrones libres y huecos fluyan hacia la unión. Al moverse los electrones libres hacia la unión, se crean ionespositivos en el extremo derecho de la unión que atraerán a los electrones hacia el cristal desde el circuito externo.
Así los electrones libres pueden abandonar el terminal negativo de la fuente y fluirhacia el extremo derecho del cristal. El sentido de la corriente lo tomaremos siempre contrario al del electrón.
Lo que le sucede al electrón: Tras abandonar el terminal negativo de la fuente entrapor el extremo derecho del cristal. Se desplaza a través de la zona n como electrón libre.
En la unión se recombina con un hueco y se convierte en electrón de valencia. Se desplaza a través de la zonap como electrón de valencia. Tras abandonar el extremo izquierdo del cristal fluye al terminal positivo de la fuente.
Polarización inversa
Se invierte la polaridad de la fuente de continua, el diodose polariza en inversa, el terminal negativo de la batería conectado al lado p y el positivo al n, esta conexión se denomina "Polarización Inversa".
En la siguiente figura se muestra una conexiónen inversa:
El terminal negativo de la batería atrae a los huecos y el terminal positivo atrae a los electrones libres, así los huecos y los electrones libres se alejan de la unión y la z.c.e. seensancha.
A mayor anchura de la z.c.e. mayor diferencia de potencial, la zona de deplexión deja de aumentar cuando su diferencia de potencial es igual a la tensión inversa aplicada (V), entonces los...
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