Polarizacion
Páginas: 4 (828 palabras)
Publicado: 16 de diciembre de 2012
Configuración de polarizacion
La selección del punto de trabajo Q de un transistor se realiza a través de diferentes circuitos de polarización que fijen sus tensiones ycorrientes.
En la siguientefigura 1.9 se incluyen los circuitos de polarización más típicos basados en resistencias y fuentes de alimentación; además, se indican las ecuaciones que permiten obtener el punto de trabajo delostransistores. Estos circuitos presentan diferencias en algunos casos importantes.
Por ejemplo, el circuito de la figura 1.8.a (página anterior) es poco recomendable por carecer de estabilidad; bajociertas condiciones se puede producir deriva térmica que autodestruye el transistor.
La polarización de corriente de base de la figura 1.9 es mucho más estable aunque el que más se utilizacon componentes discretos es elcircuito de autopolarización. La polarización de colector-base asegura que el transistor nunca entra en saturación al mantener su tensión colector-base positiva
Transistor Bipolar deJuntura
Definición.
El Transistor Bipolar de Juntura, abreviado como TBJ, es un dispositivo electrónico semiconductor, construido a partir de 3 regiones dopadas y 2 junturas PN. Este dispositivoconsta de 3 terminales: Emisor (E), Base (B) y Colector (C). La característica principal de este dispositivo es que tiene la propiedad de controlar una corriente en la puerta de salida mediante unacorriente en la puerta de entrada.
Los TBJ poseen dos zonas semiconductoras, que pueden ser de tipo P ó N, y entre ambas una zona muy delgada que puede ser del tipo P ó N respectivamente.
Éste conjuntoformará dos uniones PN: entre el emisor y la base, y una entre la base y el colector. Si las dos zonas exteriores son del tipo N y la interior tipo P, el transistor será del tipo NPN. Si las doszonas exteriores son del tipo P y la interior es del tipo N, el transistor será del tipo PNP.
Figura 1: Transistor tipo NPN
Figura 2:Transistor tipo PNP
El estudio y análisis de los...
La selección del punto de trabajo Q de un transistor se realiza a través de diferentes circuitos de polarización que fijen sus tensiones ycorrientes.
En la siguientefigura 1.9 se incluyen los circuitos de polarización más típicos basados en resistencias y fuentes de alimentación; además, se indican las ecuaciones que permiten obtener el punto de trabajo delostransistores. Estos circuitos presentan diferencias en algunos casos importantes.
Por ejemplo, el circuito de la figura 1.8.a (página anterior) es poco recomendable por carecer de estabilidad; bajociertas condiciones se puede producir deriva térmica que autodestruye el transistor.
La polarización de corriente de base de la figura 1.9 es mucho más estable aunque el que más se utilizacon componentes discretos es elcircuito de autopolarización. La polarización de colector-base asegura que el transistor nunca entra en saturación al mantener su tensión colector-base positiva
Transistor Bipolar deJuntura
Definición.
El Transistor Bipolar de Juntura, abreviado como TBJ, es un dispositivo electrónico semiconductor, construido a partir de 3 regiones dopadas y 2 junturas PN. Este dispositivoconsta de 3 terminales: Emisor (E), Base (B) y Colector (C). La característica principal de este dispositivo es que tiene la propiedad de controlar una corriente en la puerta de salida mediante unacorriente en la puerta de entrada.
Los TBJ poseen dos zonas semiconductoras, que pueden ser de tipo P ó N, y entre ambas una zona muy delgada que puede ser del tipo P ó N respectivamente.
Éste conjuntoformará dos uniones PN: entre el emisor y la base, y una entre la base y el colector. Si las dos zonas exteriores son del tipo N y la interior tipo P, el transistor será del tipo NPN. Si las doszonas exteriores son del tipo P y la interior es del tipo N, el transistor será del tipo PNP.
Figura 1: Transistor tipo NPN
Figura 2:Transistor tipo PNP
El estudio y análisis de los...
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