POSTER DOCTORADO ERICK3

ESTUDIO ÓPTICO, ESTRUCTURAL Y ELÉCTRICO DE PELÍCULAS
DE GAN IMPURIFICADAS CON CINC Y MAGNESIO.
Erick Gastellóu Hernández1 , Crisóforo Morales Ruiz1, Godofredo García Salgado1, Reina GaleazziIsasmendi1
1
CIDS-IC, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla. Apdo. Postal 196, Puebla, Pue. 72000. México

DINÁMICA MOCVD

Objetivo
Obtención y caracterización de películas de GaN obtenidas mediantediferentes procesos, impurificadas con Mg y Zn.

Objetivos particulares
1. Obtener películas de GaN a partir de la nitridación de GaAs en un
sistema MOCVD.
2. Obtener películas de GaN mediante elcalentamiento de sales de
nitrato de galio en ambiente de NH3.
3. Dopado de las películas de GaN a través de sales de cinc y magnesio.
4. Caracterización óptica, eléctrica y estructural de las películasobtenidas.
5. Realizar el comparativo entre los resultados de la caracterización
obtenida a las películas de GaN nitridando GaAs y películas de GaN
obtenidas por mecanismos tradicionales de MOCVD.

Fig. 7.-Cinética de Crecimiento
en MOCVD

Justificación
El GaN cuenta
con algunos
inconvenientes
como el alto costo
de precursores,
delicada operación
de gases y
dificultades con el
control del
dopado.Introducción
ANTECEDENTES

Fig. 8- Comparativo de ganancias en MOCVD

Metodología

Fig. 2.- Estructuras cristalinas del GaN.
Fig. 1.- Diagrama que relaciona el ancho de banda prohibido con el parámetrode
red de los compuestos semiconductores III – V.

APLICACIONES

1.Se obtendrán películas de GaN por nitridación, en este proceso se buscará el proceso
de descomposición de GaAs. Al reactor seintroducirá amoníaco como fuente de
nitrógeno. Se continuará elevando la temperatura hasta provocar la evaporación del
As y la incorporación del N, para obtener así el GaN. Se propone realizar el dopado
de laspelículas de GaN “in situ”, esto a través de la evaporación de sales de cinc y
magnesio [1].
2. Se obtendrán películas de GaN a través del método tradicional utilizando metal
orgánicos (MOCVD)[2,...