ppolarixacin
Páginas: 4 (966 palabras)
Publicado: 6 de octubre de 2014
REPÚBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA
UNIVERSIDAD NACIONAL MARÍTIMA DEL CARIBE
ELECTROTECNIA MARINA
Polarización del transistor bipolar
Prof.: Patiño GregoryPresentado por:
Castillo Daniel
Freundt Victor
Catia La Mar, julio de 2013
Marco teóricoTransistor
Es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término ``transistor`` es la contracción en inglés de transferresistor ``resistencia de transferencia``.
Actualmente se encuentran prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso diario: radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes decuarzo, computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos, teléfonos celulares.
Polarización del transistor bipolar
El transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bell de EE. UU. endiciembre de 1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley, quienes fueron galardonados con el Premio Nobel de Física en 1956. Fue el sustituto de la válvula de treselectrodos, o tríodo.
El transistor de efecto de campo fue descubierto antes que el transistor (1930), pero no se encontró una aplicación útil ni se disponía de la tecnología necesaria para fabricarlosmasivamente.
Es por ello que al principio se usaron transistores bipolares y luego los denominados transistores de efecto de campo (FET). En los últimos, la corriente entre el surtidor o fuente (source) yel drenaje (drain) se controla mediante el campo eléctrico establecido en el canal. Por último, apareció el MOSFET (transistor FET de tipo Metal-Óxido-Semiconductor). Los MOSFET permitieron un diseñoextremadamente compacto, necesario para los circuitos altamente integrados (CI).
Hoy la mayoría de los circuitos se construyen con tecnología CMOS. La tecnología CMOS (Complementary MOS ó MOS...
REPÚBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA
UNIVERSIDAD NACIONAL MARÍTIMA DEL CARIBE
ELECTROTECNIA MARINA
Polarización del transistor bipolar
Prof.: Patiño GregoryPresentado por:
Castillo Daniel
Freundt Victor
Catia La Mar, julio de 2013
Marco teóricoTransistor
Es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término ``transistor`` es la contracción en inglés de transferresistor ``resistencia de transferencia``.
Actualmente se encuentran prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso diario: radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes decuarzo, computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos, teléfonos celulares.
Polarización del transistor bipolar
El transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bell de EE. UU. endiciembre de 1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley, quienes fueron galardonados con el Premio Nobel de Física en 1956. Fue el sustituto de la válvula de treselectrodos, o tríodo.
El transistor de efecto de campo fue descubierto antes que el transistor (1930), pero no se encontró una aplicación útil ni se disponía de la tecnología necesaria para fabricarlosmasivamente.
Es por ello que al principio se usaron transistores bipolares y luego los denominados transistores de efecto de campo (FET). En los últimos, la corriente entre el surtidor o fuente (source) yel drenaje (drain) se controla mediante el campo eléctrico establecido en el canal. Por último, apareció el MOSFET (transistor FET de tipo Metal-Óxido-Semiconductor). Los MOSFET permitieron un diseñoextremadamente compacto, necesario para los circuitos altamente integrados (CI).
Hoy la mayoría de los circuitos se construyen con tecnología CMOS. La tecnología CMOS (Complementary MOS ó MOS...
Leer documento completo
Regístrate para leer el documento completo.