PPT 11 Transistores

TRANSISTORES

TEMAS
1.

INTRODUCCIÓN

2.

BJT
–
–
–
–
–

PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO
CURVA CARACTERÍSTICA
POLARIZACIÓN ZONA DE CORTE
POLARIZACIÓN ZONADE SATURACIÓN
POLARIZACIÓN ZONA ACTIVA

–
–
–
–

CIRCUITOS DE POLARIZACIÓN
POLARIZACIÓN EN BASE COMÚN
POLARIZACIÓN EN COLECTOR COMÚN
POLARIZACIÓN EN EMISOR COMÚN
POLARIZACIÓN POR DIVISIÓN DE TENSIÓN

3.

4.

APLICACIÓN DE LOS TRANSISTORES
–
SWITCHELECTRÓNICO
–
AMPLIFICADOR DE CORRIENTE
–
RECTIFICADOR

1.

INTRODUCCIÓN

• En general, es posible clasificar a los
transistores en dos grandes tipos:
– Transistores bipolares
– Transistores de efecto de campo.

• Los transistores bipolares (BJT,
Transistor de Juntura Bipolar), utilizan
las propiedades de los
semiconductores extrínsecos para
operar principalmente como
amplificadores de corriente,es decir,
se controlan por corriente
(polarización) y permiten controlar la
magnitud y flujo de corriente a través
de ellos.

• Los transistores de efecto de campo
(FET), por su parte, operan también
con semiconductores, los cuales se
controlan por medio de un campo
eléctrico que se genera en la
entrada del dispositivo. También se
les llama unipolares por dos
motivos: primero para distinguirlosde los BJT y, segundo, para indicar
que lo que se controla es sólo un
tipo de portador (de flujo)
electrones o huecos. Por tales
motivos, la principal aplicación de
los transistores de efecto de campo
es operar como switch.

1.

INTRODUCCIÓN

• En esta presentación se estudiarán
los transistores bipolares,
quedando de tarea de investigación
que averigüe acerca de los
transistores tipos FET.

• Eneste sentido, es preciso
indicar algunas consideraciones
con respecto a los símbolos:

• Sin embargo se mostrarán los
símbolos tanto para los BJT como
para los FET.

– Los transistores tienen tres
terminales. Colector, Base y
Emisor para los BJT’s; Fuente
(Source), Puerta (Gate) y
Drenador para los FET’s.

• Empezaremos con los FET’s, puesto
que son muchos más que los BJT’s
y, además, los BJT’sserán
explicados con profundidad.

– Ambos tipos de transistores
pueden combinarse para formar
diferentes configuraciones
electrónicas.

1.

INTRODUCCIÓN SIMBOLOGÍA FET

2.

BJT PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO

• Un BJT es un semiconductor
de tres capas de tal forma
que pueden combinarse
como:
– NPN
– PNP

• Esto es fundamental de
entender, la estructura
electrónica de los BJT’s
implican junturas PN,nunca
NN o PP.

2.
•

•

•

BJT PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO
La región central se denomina base (B) y los dos
extremos emisor (E) y colector (C), la base es
sumamente estrecha y poco dopada en relación
con el emisor y colector, por lo que tiene muy
baja concentración de portadores.
El emisor esta fuertemente dopado, y la
concentración de portadores mayoritarios
disponibles supera ampliamente losde la base,
mientras que el colector es bastante amplio y
dotado con una alta concentración de
portadores minoritarios en relación a la base y
pocos mayoritarios respecto al emisor.
En el caso de un NPN, la base no posee la
suficiente cantidad de huecos para combinarse
con todos los electrones que puede suministrar
el emisor, por lo que la mayoría de electrones
atraviesan la base en dirección alcolector,
generando así un flujo de electrones de emisor a
colector, lo que significa que la corriente tiene
sentido colector a emisor

SENTIDO
CONVENCIONAL
DE LA
CORRIENTE

SENTIDO DEL
MOVIMIENTO
DEL ELECTRÓN

2.

BJT PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO

• El emisor esta fuertemente dopado; su función
consiste en emitir o inyectar electrones libres a
la base. La base ligeramente dopada también
tiene unpropósito bien definido: dejar pasar
hacia el colector la mayor parte de los electrones
inyectados por el emisor. El colector se llama así
porque colecta o recoge la mayoría de los
electrones provenientes de la base.
• De esta manera, basta con inyectar una pequeña
corriente en la base para generar un gran flujo
de electrones entre emisor y colector (IC).
• Este efecto permite entender claramente...