Práctica 5
Páginas: 3 (607 palabras)
Publicado: 10 de octubre de 2015
Práctica 5
Memorias ROM
Objetivos
Al completar esta práctica el alumno:
Explorará la posibilidad de utilizar un decodificador de 4 a 16 líneas como un elemento de almacenamiento ROM.
Será capazde guardar información binaria mediante la utilización de diodos y a su vez utilizarla para decodificarla.
Introducción
Una memoria de sólo lectura (ROM´s) mantiene de forma permanente osemipermanente los datos almacenados, que pueden ser leídos pero, o no pueden cambiar en absoluto, o se requiere un equipo especial para ello. Una ROM almacena datos que se utilizan repetidamente en lasaplicaciones, tales como tablas, conversiones o instrucciones programadas para la inicialización y el funcionamiento de un sistema. Las ROM´s mantienen los datos almacenados cuando se desconecta laalimentación por ello se denominan como memorias no volátiles.
Las memorias de semiconductores se fabrican utilizando dos tecnologías básicas: la bipolar y la MOS. La tecnología MOS (Metal-Oxide Semiconductor,metal-óxido semiconductor), que utiliza MOSFET´s, es la tecnología de memorias dominante. Las memorias bipolares tienen una en el mercado cada vez menor, aunque los BiMOS, una combinación de bipolar yMOS, se utilizan en muchas aplicaciones.
Existen tres tecnologías principales de MOS: PMOS, NMOS y CMOS. La tecnología PMOS se implementa con FET´s de canal p; los NMOS utilizan FET´s de canal n; yla CMOS combina los dos tipos. Antes, las memorias semiconductoras se fabricaban en tecnología PMOS, pero, como se necesitan mayores velocidades y densidades, la tecnología NMOS ha llegado a ser ladominante. Más recientemente, se ha empezado a usar la CMOS en los dispositivos de memoria. Las memorias BiCMOS incorporan circuitos bipolares de transistores (TTL o ECL) en funciones de entrada ysalida para hacer que los dispositivos sean compatibles con la lógica bipolar.
Material y equipo utilizado.
1 Circuito Integrado TTL 74LS154, CD74HC154EN o MM74HC154
20 diodos de germanio 1n60 o...
Memorias ROM
Objetivos
Al completar esta práctica el alumno:
Explorará la posibilidad de utilizar un decodificador de 4 a 16 líneas como un elemento de almacenamiento ROM.
Será capazde guardar información binaria mediante la utilización de diodos y a su vez utilizarla para decodificarla.
Introducción
Una memoria de sólo lectura (ROM´s) mantiene de forma permanente osemipermanente los datos almacenados, que pueden ser leídos pero, o no pueden cambiar en absoluto, o se requiere un equipo especial para ello. Una ROM almacena datos que se utilizan repetidamente en lasaplicaciones, tales como tablas, conversiones o instrucciones programadas para la inicialización y el funcionamiento de un sistema. Las ROM´s mantienen los datos almacenados cuando se desconecta laalimentación por ello se denominan como memorias no volátiles.
Las memorias de semiconductores se fabrican utilizando dos tecnologías básicas: la bipolar y la MOS. La tecnología MOS (Metal-Oxide Semiconductor,metal-óxido semiconductor), que utiliza MOSFET´s, es la tecnología de memorias dominante. Las memorias bipolares tienen una en el mercado cada vez menor, aunque los BiMOS, una combinación de bipolar yMOS, se utilizan en muchas aplicaciones.
Existen tres tecnologías principales de MOS: PMOS, NMOS y CMOS. La tecnología PMOS se implementa con FET´s de canal p; los NMOS utilizan FET´s de canal n; yla CMOS combina los dos tipos. Antes, las memorias semiconductoras se fabricaban en tecnología PMOS, pero, como se necesitan mayores velocidades y densidades, la tecnología NMOS ha llegado a ser ladominante. Más recientemente, se ha empezado a usar la CMOS en los dispositivos de memoria. Las memorias BiCMOS incorporan circuitos bipolares de transistores (TTL o ECL) en funciones de entrada ysalida para hacer que los dispositivos sean compatibles con la lógica bipolar.
Material y equipo utilizado.
1 Circuito Integrado TTL 74LS154, CD74HC154EN o MM74HC154
20 diodos de germanio 1n60 o...
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