Pr ctica 1 Electr nica

Instituto Tecnológico de León.



Electrónica analógica.



González Araujo Óscar Alberto.


Oliva Olivares Romina.


Pedroza Gutiérrez Saulo.


Zamarrón Barrón Daniel Alfonso.



Ing. Ayala Martínez Juan Carlos.

Diodos



Práctica No. 1
Fecha de realización de la práctica:
11/02/15
Entrega de reporte:
19/02/15









Diodos
2. Resumen
La práctica tuvo dos objetivos, el primero fuedeterminar la curva característica de un diodo de silicio con ayuda de los voltajes proporcionados por el profesor, y el circuito propuesto, el segundo objetivo fue obtener la resistencia másica del diodo utilizado, con ayuda de la formula.
rB = rP + rN

3. Introducción
Esta práctica fue realizada con el propósito de conocer el comportamiento de la corriente y voltaje de un diodo de silicio conectado deforma directa e inversa, conocer el ánodo y cátodo del mismo, con este fin se realizó un circuito al cual se le ajusto el voltaje (de acuerdo con la tabla proporcionada en la práctica) para obtener las diferentes corrientes y con ayuda de estás trazar la curva característica del diodo V-I y obtener la resistencia másica del diodo utilizado.

4. Material y equipo utilizados
Fuente de alimentación.Protoboard.
Resistencia de 250 Ω a 2 W.
Multímetro digital.
Diodo de silicio 1N4154.


5. Planteo del problema y abordaje.
Los objetivos de esta práctica fueron:
-Conocer el funcionamiento de un diodo.
-Identificar y conocer características de voltaje y corriente del diodo polarizado en directa.
-Saber diferenciar el ánodo y cátodo del diodo.
-Conocer resistencia en directa e inversa deldiodo en general.
-Graficar la curva V-I del diodo al ser polarizado.
-Calcular la resistencia másica del diodo.

El diodo ideal es un componente discreto que permite la circulación de corriente entre sus terminales en un determinado sentido, mientras que la bloquea en el sentido contrario.
En la se muestran el símbolo y la curva característica tensión-intensidad del funcionamiento del diodoideal. El sentido permitido para la corriente es de A a K.













Los diodos constan de una pieza de cristal semiconductor conectada a dos terminales eléctricos, el cristal está formado por dos partes, una llamada N y la otra llamada P, separados por una juntura llamada barrera o unión. Esta barrera o unión es de 0.3 V en el diodo de germanio y de 0.7 V aproximadamente en el diodo de silicio.Polarización directa de un diodo
En este caso, la batería disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a través de la unión; es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad.
Para que un diodo esté polarizado directamente, se debe conectar el polo positivo de la batería al ánodo del diodo y el polo negativo alcátodo. En estas condiciones podemos observar que:

-El polo negativo de la batería repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos electrones se dirigen hacia la unión p-n.

-El polo positivo de la batería atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unión p-n.

-Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de labatería es mayor que la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energía suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unión p-n.

-Una vez que un electrón libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga espacial, cae en uno de los múltiples huecos de la zona pconvirtiéndose en electrón de valencia. Una vez ocurrido esto el electrón es atraído por el polo positivo de la batería y se desplaza de átomo en átomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batería.

De este modo, con la batería cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones de valencia de la zona p, aparece a través...