Pr Ctica 2
Páginas: 3 (713 palabras)
Publicado: 22 de junio de 2015
UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DE VICTORIA
Construyendo Conciencia
INGENIERÍA MECATRÓNICA.
Electrónica de Potencia.
Práctica 2: “CIRCUITO IMPULSOR DE UN MOSFET DE POTENCIA”
Docente: Dr. Carlos AdriánCalles Arriaga.
Alumno: Tania Zoraida Reyes Jiménez.
Cd. Victoria, Tamaulipas.
RESUMEN
Se diseñó e implementó un circuito para activar un MOSFET de potencia con pulsos. Se utilizaron
materiales comoarduino, resistencias variables y equipo de señales (osciloscopio, multímetro y fuente
de alimentación).
INTRODUCCIÓN
MOSFET de potencia convencional
Las características de funcionamiento de losMOSFETs son superiores a las de los transistores bipolares
en cuanto a tiempos de conmutación más rápidos, circuitos de control sencillos, ausencia del
mecanismo de falla de segunda ruptura, habilidad paraser paralelos, ganancia estable y tiempo de
respuesta en un amplio rango de temperatura.
El MOSFET de potencia tiene rápida velocidad de conmutación que ha extendido las frecuencias de
conmutación enla conversión de potencia del rango de 20 kHz de los transistores bipolares por arriba
de los 100 kHz en conmutación dura. Con técnicas de conmutación suave tales como conmutación a
voltaje cero(CVC) y conmutación a corriente cero (CCC), la frecuencia de conmutación puede exceder
los MHz.
Figura 1. Semiconductor de potencia.
En la Figura 1 se muestra la estructura de un MOSFET de canal n, lacual es una estructura de doble
difusión con compuerta horizontal a la superficie y flujo vertical. Consta de un sustrato altamente
concentrado (n+), sobre el que se expande una capa epitaxial (n-) ydos difusiones sucesivas, una zona pen la cual se genera el canal con una polaridad adecuada y una n+ dentro de la cual se define la fuente.
La terminal de compuerta está eléctricamente aislada delcuerpo de silicio por una capa delgada de
dióxido de silicio Con la finalidad de incrementar el desempeño del MOSFET, se creó la tecnología
TrenchMOS, en la cual la estructura de la compuerta en lugar...
Construyendo Conciencia
INGENIERÍA MECATRÓNICA.
Electrónica de Potencia.
Práctica 2: “CIRCUITO IMPULSOR DE UN MOSFET DE POTENCIA”
Docente: Dr. Carlos AdriánCalles Arriaga.
Alumno: Tania Zoraida Reyes Jiménez.
Cd. Victoria, Tamaulipas.
RESUMEN
Se diseñó e implementó un circuito para activar un MOSFET de potencia con pulsos. Se utilizaron
materiales comoarduino, resistencias variables y equipo de señales (osciloscopio, multímetro y fuente
de alimentación).
INTRODUCCIÓN
MOSFET de potencia convencional
Las características de funcionamiento de losMOSFETs son superiores a las de los transistores bipolares
en cuanto a tiempos de conmutación más rápidos, circuitos de control sencillos, ausencia del
mecanismo de falla de segunda ruptura, habilidad paraser paralelos, ganancia estable y tiempo de
respuesta en un amplio rango de temperatura.
El MOSFET de potencia tiene rápida velocidad de conmutación que ha extendido las frecuencias de
conmutación enla conversión de potencia del rango de 20 kHz de los transistores bipolares por arriba
de los 100 kHz en conmutación dura. Con técnicas de conmutación suave tales como conmutación a
voltaje cero(CVC) y conmutación a corriente cero (CCC), la frecuencia de conmutación puede exceder
los MHz.
Figura 1. Semiconductor de potencia.
En la Figura 1 se muestra la estructura de un MOSFET de canal n, lacual es una estructura de doble
difusión con compuerta horizontal a la superficie y flujo vertical. Consta de un sustrato altamente
concentrado (n+), sobre el que se expande una capa epitaxial (n-) ydos difusiones sucesivas, una zona pen la cual se genera el canal con una polaridad adecuada y una n+ dentro de la cual se define la fuente.
La terminal de compuerta está eléctricamente aislada delcuerpo de silicio por una capa delgada de
dióxido de silicio Con la finalidad de incrementar el desempeño del MOSFET, se creó la tecnología
TrenchMOS, en la cual la estructura de la compuerta en lugar...
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