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UNIVERSIDAD POLITÉCNICA SALESIANA.

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PRÁCTICA # 7: TRANSISTORES EN
CONMUTACIÓN.
Christian Legarda.
clegarda@est.ups.edu.ec

Pedro Pineda.
ppineda@est.ups.edu.ec

Henry Siguenza.
Franco Pinos.
hsiguenza@est.ups.edu.ec fpinosv@est.ups.edu.ec
Electrónica de Potencia I
Sede-Cuenca

Abstract—This paper aims to analyze the role of switching
mode transistors, also own carataresitica to analyze eachof
the power transistors, such as support to high intentions and
currents, currents tambén their discipar.
H
Resumen—En este documento se pretende analizar la función
de los transistores en mode de conmutación, también para
analizar cada carataresitica propia de los transistores de potencia,
como el soporte a altas tenciones y corrientes, como tambén sus
corrientes a discipar.
IndexTerms—Conmutación, Potencia, Transistores.

I. INTRODUCCIÓN
El laboratorio de Electrónica Potencia I, es un lugar donde
se comprueba la validez argumentada en las clases expuestas
por parte del profesor sobre el tema a aplicar.
Este aspecto implica, que debemos reconocer teóricamente y
analíticamente los transistores en conmutación y sus diferentes
configuraciones, para así proceder al análisis de los circuitos
conel uso de los demás dispositivos que lo complementan,
para ser utilizados en la práctica, con el fin de llevar a cabo
de la forma más concreta y correcta posible. Cuyo fin es
dar a conocer los resultados obtenidos tras la comprobación
de los circuitos planteados, ya que la metodología utilizada
para el diseño fue mediante los parámetros establecidos en
los objetivos y que fue puesta en marcha contodos los
conocimientos establecidos conforme se lleva la materia.

III. MARCO TEÓRICO

A. TRANSISTORES DE POTENCIA
Este tipo de dispositivo tiene la caraterística de poder
controlar tanto su encendido como su apagado, mientras los
que trabajan en conmutación, son capaces de trabajar en la
zona de saturación, produciendo por ende una pequeña caída
de voltaje en el estado de encendido.
Pero se debetomar en cuenta que la velocidad de conmutación es mucho mayor que de los tiristores.

B. TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR
Como se puede observar en la figura 1., este tipo de
dipositivo se forma al agregar una segunda región n o p, a
un diodo de union pn, teniendo asi los transistrores pnp y
npn.

II. OBJETIVOS
A. GENERAL
•

Comprobar el funcionamientos de los transistores en
conmutación.
Figure 1.Transistor Bipolar

B. ESPECÍFICOS
1) Analizar el comportamiento de los transistores de potencia.
2) Calcular todas los factores inmersos en los circuitos.
3) Obtener las ondas de voltaje y corriente.

Cuyas configuraciones son tres, como, la de los trasistores
normales es decir: Base común, Colector Común y Emisor
Común siendo este ultimo el más utilizado para aplicaciones
de conmutación, comose puede observar en la figura 2.

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Table I
D ESCRIPCIÓN DE M ATERIALES Y H ERRAMIENTAS .
Materiales
IGBT
Resistencia
Bananas
Sonda Diferencial
Sonda de Corriente
Fuente de Voltaje
Osciloscopio Digital

Unidades
3
2
15
1
1
1
1

Figure 2. Emisor Común

C. CARACTERÍSTICAS DE CONMUTACIÓN

A causa de las capacitancias internas, producidas en las
condicionestransitorias, debido a las uniones CBJ y BEJ, el
transistor no se enciende al instante, como se espera idealmente. Ya que cuando el voltaje de entrada VB incrementa de
cero a un valor V1 , igual efecto de incremento que se produce
en la corriente, ya que en este intervalo de crecimiento la
corriente de colector no responde denominado asi este tiempo
como tiempo de retardo td .
Una vez pasado ese tiempode retardo ,la corriente sube
hasta llegar a su estado estable, produciendo un tiempo al que
lo llamaremos tiempo de subida tr , cuyo valor depende de la
constante de tiempo producida por la capacitancia de la unión
BEJ.
Mientras que el tiempo de caída depende de la constante de
tiempo, que está definida por la capacitancia producida por la
unión BEJ con polarización inversa.
Donde los tiempo...