Pr ctica No

INSTITUTO TECNOLOGICO DE AGUASCALIENTES

Departamento de Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Ingeniería Eléctrica
Electrónica Analógica



PRÁCTICA 5
“POLARIZACION EN C.D. DEL TRANSISTOR FET Y MOSFET Y CONFIGURACIONES COMUNES”





Alumnos
Andrade Chávez Iván 12150500
Chávez Jaime Edgardo Alejandro 12150505
García Chávez Eduardo 121505
Rodríguez Flores Set Gerardo 12150518

Profesor
M.C. JorgeOctavio Valdés Valadez

Lugar y fecha de realización
Aguascalientes, Ags., a 11de Abril 2014

Fecha de entrega
Aguascalientes, Ags., a 16 de Abril de 2014
Práctica No. 5. Polarización en C.D. del Transistor FET y MOSFET y configuraciones comunes.
1.- OBJETIVO.
El alumno diseñará y construirá circuitos de polarización de transistores de efecto de campo (FET) y de transistores de efecto de campo deóxido – metal - silicio (MOSFET), para ser empleados en sistemas de conmutación analógica y digital.
El alumno diseñará y construirá circuitos de polarización de transistores MOSFET, para ser empleados en sistemas de procesamiento de señales analógicas, empleando algunas de las configuraciones básicas.

2.- INTRODUCCIÓN.
Los transistores de efecto de campo se empezaron a construir en la décadade 1960. Existen dos tipos de transistores de efecto de campo; los JFET (transistor de efecto de campo de unión) y los MOSFET. Estos transistores respecto de los bipolares ocupan menos espacio por lo que su aplicación más frecuente la encontramos en los circuitos integrados.
El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en inglés) es en realidad una familia de transistores que sebasan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial.
Los transistores de efecto de campo o FET más conocidos son los JFET (Junction Field Effect Transistor), MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET) y MISFET (Metal-Insulator-Semiconductor FET).
Tienen tres terminales,denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta es la terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.
El funcionamiento del transistor de efecto de campo es distinto al del BJT. En losMOSFET, la puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT, donde la corriente que atraviesa la base, pese a ser pequeña en comparación con la que circula por las otras terminales, no siempre puede ser despreciada. Los MOSFET, además, presentan un comportamiento capacitivo muy acusado que hay que tener en cuenta para el análisis y diseño de circuitos.
Así como los transistores bipolares sedividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o FET son también de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicación de una tensión positiva en la puerta pone al transistor en estado de conducción o no conducción, respectivamente. Los transistores de efecto de campo MOS son usados extensísimamente en electrónica digital, y son el componente fundamental de los circuitos integrados o “chips”digitales.
Como características principales de los FET, se pueden comentar las siguientes:
Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta (casi 100MΩ).
No tiene un voltaje de unión cuando se utiliza como conmutador (interruptor).
Hasta cierto punto es inmune a la radiación.
Es menos ruidoso.
Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad térmica.
El transistor FET (transistor deefecto de campo), es uno de los componentes más utilizados en la electrónica moderna, se le puede ver usualmente en fuentes conmutadas, conversores DC- DC, DC-AC etc.
La mayoría de los circuitos integrados digitales, están construidos en base a transistores FET, lo que los hace más veloces y eficientes, ya que consumen menos corriente y pueden operar con voltajes muy bajos. Algunos de estos...