Practica 0
OBJETIVO:
a) Conocer los circuitos de mayor aplicación especial con los elementos más simples:
resistencias, diodos y capacitores.
TEORIA:Una parte esencial en cualquier diseño es el saber recurrir a las fuentes de
información de que disponemos y luego saber obtener e interpretar los datos que
necesitamos para resolver nuestroproblema en forma eficaz.
La descripción técnica de dispositivos semiconductores específicos se
proporcionan normalmente por el fabricante en dos formas. Una es una muy breve
descripción de undispositivo que permitirá, en unas cuantas páginas, una rápida
revisión de todos los dispositivos disponibles. El otro es una revisión completa de un
dispositivo, incluyendo gráficas, aplicaciones, etc., quesuelen aparecer como una
entidad separada. En uno u otro caso, son piezas con datos específicos que se deben
incluir para el uso apropiado del dispositivo.
PROCEDIMIENTO:
1. Corriente directarepetitiva pico
Circuito para medición de corriente directa repetitiva pico
1.1 Observe la señal que se obtiene en el osciloscopio para diferentes valores de RL.
Empleando la ley de ohm determinela corriente directa repetitiva pico (If) a través del
diodo. Complete la tabla.
RL
100 Ω
1 kΩ
10 kΩ
If(simulación)
1N914
1N4004
1N914
If(montaje)
1N4004
2. Corrienterectificada promedio
Circuito para medición de corriente rectificada promedio
2.1 Empleando un medidor de corriente (posicionado para C.D.) mida la corriente
rectificada promedio a través del diodo (Io).Complete la tabla.
RL
100 Ω
1 kΩ
10 kΩ
Io(simulación)
1N914
1N4004
1N914
Io(montaje)
1N4004
3. Voltaje inverso pico
Circuito para medición del voltaje inverso pico
3.1Observe la señal que se obtiene en el osciloscopio para diferentes valores de RL.
Determine el voltaje inverso pico (PIV). Complete la tabla.
RL
100 Ω
1 kΩ
10 kΩ
PIV(simulación)
1N914
1N4004...
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