PRACTICA 1 ELECTRONICA DE POTENCIA
Páginas: 3 (702 palabras)
Publicado: 19 de agosto de 2015
Objetivo:
El alumno diseñe e implemente circuitos de interrupción utilizando transistores de potencia, considerando criterios de diseño y selección de componentes adecuados para elrango de voltaje, corriente y disipación de temperatura.
Marco Teórico
El funcionamiento y utilización de los transistores de potencia es idéntico al de los transistores normales, teniendo comocaracterísticas especiales las altas tensiones e intensidades que tienen que soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar.
Existen tres tipos de transistores de potencia:
bipolar.
unipolar o FET(Transistor de Efecto de Campo).
IGBT.
El IGBT ofrece a los usuarios las ventajas de entrada MOS, más la capacidad de carga en corriente de los transistores bipolares:
Trabaja con tensión.
Tiempos deconmutación bajos.
Disipación mucho mayor (como los bipolares).
Una limitación importante de todos los dispositivos de potencia y concretamente de los transistores bipolares, es que el paso de bloqueo aconducción y viceversa no se hace instantáneamente, sino que siempre hay un retardo (ton , toff). Las causas fundamentales de estos retardos son las capacidades asociadas a las uniones colector - base ybase - emisor y los tiempos de difusión y recombinación de los portadores
Principios básicos de funcionamiento
La diferencia entre un transistor bipolar y un transistor unipolar o FET es el modo deactuación sobre el terminal de control. En el transistor bipolar hay que inyectar una corriente de base para regular la corriente de colector, mientras que en el FET el control se hace mediante laaplicación de una tensión entre puerta y fuente. Esta diferencia vienen determinada por la estructura interna de ambos dispositivos, que son substancialmente distintas.
Es una característica común, sinembargo, el hecho de que la potencia que consume el terminal de control (base o puerta) es siempre más pequeña que la potencia manejada en los otros dos terminales.
En resumen, destacamos tres...
Objetivo:
El alumno diseñe e implemente circuitos de interrupción utilizando transistores de potencia, considerando criterios de diseño y selección de componentes adecuados para elrango de voltaje, corriente y disipación de temperatura.
Marco Teórico
El funcionamiento y utilización de los transistores de potencia es idéntico al de los transistores normales, teniendo comocaracterísticas especiales las altas tensiones e intensidades que tienen que soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar.
Existen tres tipos de transistores de potencia:
bipolar.
unipolar o FET(Transistor de Efecto de Campo).
IGBT.
El IGBT ofrece a los usuarios las ventajas de entrada MOS, más la capacidad de carga en corriente de los transistores bipolares:
Trabaja con tensión.
Tiempos deconmutación bajos.
Disipación mucho mayor (como los bipolares).
Una limitación importante de todos los dispositivos de potencia y concretamente de los transistores bipolares, es que el paso de bloqueo aconducción y viceversa no se hace instantáneamente, sino que siempre hay un retardo (ton , toff). Las causas fundamentales de estos retardos son las capacidades asociadas a las uniones colector - base ybase - emisor y los tiempos de difusión y recombinación de los portadores
Principios básicos de funcionamiento
La diferencia entre un transistor bipolar y un transistor unipolar o FET es el modo deactuación sobre el terminal de control. En el transistor bipolar hay que inyectar una corriente de base para regular la corriente de colector, mientras que en el FET el control se hace mediante laaplicación de una tensión entre puerta y fuente. Esta diferencia vienen determinada por la estructura interna de ambos dispositivos, que son substancialmente distintas.
Es una característica común, sinembargo, el hecho de que la potencia que consume el terminal de control (base o puerta) es siempre más pequeña que la potencia manejada en los otros dos terminales.
En resumen, destacamos tres...
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