Practica 1 Etapa Amplificadora BJT
Ing. Guillermo A. David, Esp
Universidad de San Buenaventura Cali
Facultad de Ingenierías
Ingeniería Electrónica
Correo-e: gadavid@usbcali.edu.co
Objetivo.
Diseñar e implementar en el Laboratorio una etapa amplificadora con transistores BJT.
Medir los parámetros de: ganancia de voltaje, ganancia de corriente e impedancia de entrada en una
etapaamplificadora.
Comprobar la veracidad de los métodos de diseño con los circuitos físicamente implementados.
Materiales.
1
2
1
1
1
Osciloscopio
Puntas para osciloscopio
Generador de señales
ProtoboardFuente de DC
1 Pinza
1 Pelacables
1 Multímetro
Procedimiento.
1. DISEÑAR UNA ETAPA AMPLIFICADORA QUE CONTENGA UN TRANSISTOR BJT Y CUMPLA CON LOS
SIGUIENTES REQUISITOS (Debe ser simulado):
Grupo No.Ganancia de
Voltaje (Av)
1
2
3
4
5
6
20
22
18
16
20
22
Máxima excursión
en la señal de
salida
6 Vpp
4 Vpp
5 Vpp
6 Vpp
5 Vpp
6 Vpp
Resistencia de
carga RL
β mínimo del
transistor
3.3kΩ
3.9kΩ
4.7kΩ5.6kΩ
4.7kΩ
5.6kΩ
80
80
80
80
80
80
Se especifica una estabilidad en la polarización hasta del 20%. Cualquier otro dato que falte usted lo define
de forma que sea coherente con lo que existe en elLaboratorio y con las características de los dispositivos.
El amplificador diseñado debe ser simulado en Multisim. Para ello se alimentará con una fuente de AC que
entregue una señal sinusoidal (deamplitud 1mV y 1000Hz de frecuencia), en serie con una resistencia de
un valor aproximado a la impedancia de entrada de la etapa amplificadora que usted diseño. Los
condensadores que utilice pueden serde 10uF a 25V.
En la simulación se debe medir: Punto de operación en DC, ganancia de voltaje, ganancia de corriente e
impedancia de entrada. Además se debe verificar la máxima excursión de señal.Iin
Vin
Io
ETAPA
AMPLIFICADORA
CON TRANSISTOR
BJT
Vo
Durante la práctica se tomarán las siguientes medidas:
Corrientes de polarización del transistor (Base, Colector y Emisor)...
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