Practica 2 Gutierrez castillo gerardo microprocesadores


INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL
ESIME ZACATENCO

DANIEL A. VEGA CORONA

GUTIERREZ CASTILLO GERARDO

PRACTICA 2. “MEMORIA EEPROM”

6CM7

13-FEBRERO-2013
Indice
Portada------------------------------1
Indice----------------------------------2
Objetivos-----------------------------3
Introduccion teorica---------------3
Material requerido-----------------4
Programa delaboratorio---------7
Conclusiones-------------------------8
Referencia----------------------------8










Objetivo:
Programar una memoria EEPROM con SUPERPRO


CONSIDERACIONES TEORICASEEPROM o E²PROM son las siglas de Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory (ROM programable y borrada eléctricamente). Es un tipo de memoria ROM que puede ser programada, borrada yreprogramada eléctricamente, a diferencia de la EPROM que ha de borrarse mediante un aparato que emite rayos ultravioleta. Son memorias no volátiles.
Las celdas de memoria de una EEPROM están constituidas porun transistor MOS, que tiene una compuerta flotante (estructura SAMOS), su estado normal esta cortado y la salida proporciona un 1 lógico.
Aunque una EEPROM puede ser leída un número ilimitado deveces, sólo puede ser borrada y reprogramada entre 100.000 y un millón de veces.
Estos dispositivos suelen comunicarse mediante protocolos como I²C, SPI y Microwire. En otras ocasiones, se integra dentrode chips como microcontroladores y DSPs para lograr una mayor rapidez.
La memoria flash es una forma avanzada de EEPROM creada por el Dr. Fujio Masuoka mientras trabajaba para Toshiba en 1984 y fuepresentada en la Reunión de Aparatos Electrónicos de la IEEE de 1984. Intel vio el potencial de la invención y en 1988 lanzó el primer chip comercial de tipo NOR.







Material necesario:Placa con arreglo de leds y dip swicth utilizadas en practica 1.
1 protoboard
Un decodificador 74LS139
Dos memorias EEPROM
Alimentación regulada a 5v
Cable para conexiones

Se realizo un...