Practica 4 Memorias de Lectura- Escritura Semiconductoras



Laboratorio de Dispositivos de Entrada y Salida

Practica 4
Memorias de Lectura- Escritura Semiconductoras

Profesora:
Ing. Ayesha Sagrario Román García


INTRODUCCIÓN.
A las memoriasde lectura - escritura semiconductoras se les conoce también como memorias RAM (Random Access Memory) en donde el tiempo de acceso para cualquier localidad es el mismo o sea es una constante, noimportando que localidad se quiera acceder. Cabe hacer la aclaración que las memorias ROMs son también memorias de acceso aleatorio.
Existen dos tipos de memorias de lectura - escriturasemiconductoras, las RAM estáticas y las RAM dinámicas, en las primeras el elemento de almacenamiento es el circuito biestable o flip - flop, el cual mantiene la información mientras esté conectado a la fuentede alimentación, en cambio en las celdas de la memoria RAM dinámicas, el elemento de almacenamiento es la capacitancia parásita que existe entre el gate y el source de los transistores mosfet, por locual la información se mantendrá por algunos milisegundos sin degradación notable, teniéndose que efectuar a continuación el proceso de refresco, el cual consiste en recargar aquellas capacitancias quepresenten un voltaje alto.
En las memorias ROM, RAM estáticas y RAM dinámicas de construcción monolítica, podremos observar que el flujo de datos desde la memoria hacia exterior y desde elexterior hacia la memoria se realiza por líneas bidireccionales, es decir, un chip de memoria con la capacidad de guardar una palabra de longitud 8 bits, solo presentara 8 líneas de datos marcadas con I/O(input/output), por las cuales se podrá leer o escribir una palabra en esta memoria según sea el caso. Esta capacidad se la proporciona precisamente un bus bidireccional formado por compuertas buffer detres estados, las cuales como se dijo en la práctica uno, presentan una línea para la habilitación del tercer estado (alta impedancia), estado en el cual la compuerta se comporta como un circuito...