Practica 6
Páginas: 3 (532 palabras)
Publicado: 14 de febrero de 2013
PRACTICA 6
TAREA DE CASA
1.- ¿Como es en magnitud la resistencia de una juntura semiconductora en directa y en inversa?
FET de juntura o JFET
Los símbolos del FET son:
|[pic]|[pic] |
|Fet canal N |Fetcanal P |
Este dispositivo semiconductor, controla el flujo de corriente por un canal semiconductor, aplicando un campo eléctrico perpendiculara la trayectoria de la corriente.
El FET está compuesto de una parte de silicio tipo N, a la cual se le adicionan dos regiones con impurezas tipo P llamadas compuerta (gate) y que están unidasentre si. Ver la figura
Los terminales de este tipo de transistor se llaman Drenador (drain), Fuente (source) y el tercer terminal es la compuerta (gate) que ya se conoce. La región que existe entreel drenador y la fuente y que es el camino obligado de los electrones se llama "canal".
2.- Investigue el valor aproximado de las resistencias de estas junturas.
En directa es casi 0 y eninversa es infinito.
3.- Presente todos los circuitos de polarización para transistores de efecto de campo.
Transistor es el efecto de campo (FET, acrónimo ingles de Field-Efect Transistor,que funciona sobre la base del principio de repulsión o de atracción de cargas debido a la superposición de un campo eléctrico. La amplificación de la corriente se consigue de manera similar alempleado en el control de rejilla de un tubo de vacío. Los transistores de efecto de campo funcionan de forma mas eficaz que los bipolares, ya que es posible controlar una señal grande con una cantidad deenergía muy pequeña.
4.- Mencione los modelos matemáticos de un JFET y diga cual es el modelo más utilizado.
La corriente fluye de D a S
Este tipo de transistor se polariza de manera ...
TAREA DE CASA
1.- ¿Como es en magnitud la resistencia de una juntura semiconductora en directa y en inversa?
FET de juntura o JFET
Los símbolos del FET son:
|[pic]|[pic] |
|Fet canal N |Fetcanal P |
Este dispositivo semiconductor, controla el flujo de corriente por un canal semiconductor, aplicando un campo eléctrico perpendiculara la trayectoria de la corriente.
El FET está compuesto de una parte de silicio tipo N, a la cual se le adicionan dos regiones con impurezas tipo P llamadas compuerta (gate) y que están unidasentre si. Ver la figura
Los terminales de este tipo de transistor se llaman Drenador (drain), Fuente (source) y el tercer terminal es la compuerta (gate) que ya se conoce. La región que existe entreel drenador y la fuente y que es el camino obligado de los electrones se llama "canal".
2.- Investigue el valor aproximado de las resistencias de estas junturas.
En directa es casi 0 y eninversa es infinito.
3.- Presente todos los circuitos de polarización para transistores de efecto de campo.
Transistor es el efecto de campo (FET, acrónimo ingles de Field-Efect Transistor,que funciona sobre la base del principio de repulsión o de atracción de cargas debido a la superposición de un campo eléctrico. La amplificación de la corriente se consigue de manera similar alempleado en el control de rejilla de un tubo de vacío. Los transistores de efecto de campo funcionan de forma mas eficaz que los bipolares, ya que es posible controlar una señal grande con una cantidad deenergía muy pequeña.
4.- Mencione los modelos matemáticos de un JFET y diga cual es el modelo más utilizado.
La corriente fluye de D a S
Este tipo de transistor se polariza de manera ...
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