Practica 7 Dispo



INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL
ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERIA MECANICA Y ELECTRICA
UNIDAD ZACATENCO

ACADEMIA DE ELECTRONICA

DISPOSITIVOS

PRACTICA #7:
JFET (JUCTIONFIELD-EFFECT TRANSISTOR)


ALUMNOS:
ALPIZAR CAMONA STHEFANNIE
PONCE MORAN EDUARDO



INTRODUCCION
El JFET de canal n está constituido por una barra de silicio de materialsemiconductor de tipo n con dos regiones (islas) de material tipo p situadas a ambos lados.
Es un elemento tri-terminal cuyos terminales se denominan drenador (drain), fuente(source) y puerta (gate).
En la figura 1.10.a se describe un esquema de un JFET de canal n, en la 1.10.b el símbolo de este dispositivo y en la 1.10.c el símbolo de un JFETde canal P
La polarización de un JFET exige que las uniones p-n estén inversamente polarizadas.
En un JFET de canal n, la tensión de drenado debe ser mayor que la de lafuente para que exista un flujo de corriente a través de canal.
Además, la puerta debe tener una tensión más negativa que la fuente para que la unión p-n se encuentre polarizadoinversamente. Ambas polarizaciones se indican en la figura 1.11.

Las curvas de características eléctricas de un JFET son muy similares a las curvas de los transistoresbipolares. Sin embargo, los JFET son dispositivos controlados por tensión a diferencia de los bipolares que son dispositivos controlados por corriente.
Por ello, en el JFETintervienen como parámetros: ID (intensidad drain o drenador a source o fuente), VGS (tensión gate o puerta a source o fuente) y VDS (tensión drain o drenador a source ofuente). Se definen cuatro regiones básicas de operación: corte, lineal, saturación y ruptura.
DESARROLLO:
1) Armamos los dos diferentes circuitos para analizar su comportamiento