PRACTICA AMPLIFICADOR 2


CAMPUS CAMPESTRE

PRÁCTICA:
“Transistor como Interruptor”.


ALUMNO:
Gómez Padilla Edith
Matrícula: 57173

MATERIA:
Electrónica Básica
Juan Martín Maciel Chávez


GRUPO:
501
IngenieríaElectromecánica


Material:
Resistencia de 1 800 Ω (1/2 W)
Resistencia de 2 200 Ω (1/2 W)
Resistencia de 10 000 Ω (1/2 W)
Resistencia de 15 000 Ω (1/2 W)
Fotorresistencia
Led ultrabrillante
Circuito IntegradoLM358
Transistor BC337 // MPS 22 22 A

Circuito Integrado LM358
Consiste en dos circuitos independientes que se encuentran dentro del encapsulado que compensan la frecuencia del amplificadoroperacional y cada uno opera como suplemento de poder que operan a diferentes rango de voltaje, el drenaje es posible también bajo las operaciones de fuerza independientemente de la magnitud del suministrode voltaje, su diagrama es de fácil implementación.

Aplicación: Radio frecuencias, Audio Frecuencias, La generación de pulsos y Sensores.

Clasificaciones máximas absolutas
Voltaje deaprovisionamiento VCC 16 a 32 V.
Entrada Voltaje 03V a 32V.
El cortocircuito de salida para GND es deVCC+-15V,Ta= 25 grados Celsius a 1 ampere.
Rango de temperatura de operación: 0 a +70.
Rango dealmacenamiento de temperatura: -50 a +150.

Características eléctricas
Compensación de entrada de Voltaje: Típico 2.9 y máximo 7.0 mV.
Compensación de entrada de corriente Típico 5 Máximo 50.
Ganancia de Voltaje:Mínimo 25, Típico 100 V/mV.
Oscilación de voltaje de salida (RL 10KΩ) Mínima 27 Típico 28V.
El cortocircuito para GND: 40 mínimas y 60 típico.


Transistor MPS2222A
Transistor de pequeña señalbipolar, tipo NPN. Están diseñados para aplicaciones de amplificadores de uso general y conmutación de alta velocidad y potencia media.
Ganancia de corriente (Hfe): 50
Voltaje colector-base: 75 V
Voltajecolector-emisor: 40 V
Emisor-voltaje base: 6 V
Ic: 600 mA
fT: 300 MHz
Disipación: 625 Mw
LED Ultrabrillante
Diodo emisor de luz (LED) transparente. Emite luz blanca ultrabrillante debido a su...