Practica de lab de electronica de potencia

REPÚBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA
INSTITUTO UNIVERSITARIO POLITÉCNICO
“SANTIAGO MARIÑO”
ESCUELA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA


PRE- LABORATORIO

PRÁCTICA N° 1

FAMILIARIZACIÓN DE LOS SCR

|Profesor: |Realizado por: |
||Br. |
|Materia: |Br. |
|Laboratorio de Electrónica de Potencia |Semestre: |IX |
| |Sección:|Nocturno - D |

Maturín, 18 de Octubre de 2010
INDICE

Portada --------------------------------------------------------------------------------------------1
Índice ---------------------------------------------------------------------------------------------2
Introducción--------------------------------------------------------------------------------------3Desarrollo teorico-------------------------------------------------------------------------------4
Cálculos y graficas ----------------------------------------------------------------------------18
Data sheet ---------------------------------------------------------------------------------------21

INTRODUCCIÒN
Los semiconductores son materiales cuya conductividad varía con latemperatura, pudiendo comportarse como conductores o como aislantes. Resulta que se desean variaciones de la conductividad no con la temperatura sino controlables eléctricamente por el hombre.
Para conseguir esto, se introducen átomos de otros elementos en el semiconductor. Estos átomos se llaman impurezas y tras su introducción, el material semiconductor presenta una conductividad controlableeléctricamente. Existen dos tipos de impurezas, las P y las N, que cambian la conductividad del silicio y determinan el tipo de cristal a fabricar. Por tanto, como hay dos tipos de impurezas habrá dos tipos fundamentales de cristales, cristales de impurezas P y cristales de impurezas tipo N.
El material semiconductor más utilizado es el Silicio (Si), pero hay otros semiconductores como el Germanio(Ge) que también son usados en la fabricación de circuitos. El silicio está presente de manera natural en la arena por lo que se encuentra con abundancia en la naturaleza.
Estos materiales semiconductores son la base para la construcción de un dispositivo muy utilizado en la industria de la electrónica de potencia, como lo es el rectificador controlado de silicio (SCR) por sus siglas eningles, a través de la practica que se realizara conoceremos algunas de sus características mas importantes y se verá la manera en que opera.

DESARROLLO TEORICO
El  SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio, Figura 1), es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposición pnpn (Figura 2). Está formado por tres terminales,llamados Ánodo, Cátodo y Puerta. La conducción entre ánodo y cátodo es controlada por el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional (sentido de la corriente es único), conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez.
        
 
 
 
 

 
  Figura 1: Símbolo del  SCR.

 
 Figura 2 : Estructura  básica del  SCR.

CARACTERÍSTICAS GENERALES.
 
            • Interruptor casi ideal.
            • Soporta tensiones altas.
            • Amplificador eficaz.
            • Es capaz de controlar grandes potencias.
            • Fácil controlabilidad.
            • Relativa rapidez.
            • Características en función de situaciones pasadas (memoria).
 
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