Practica De Laboratorio De Electr Nica 4 Byron Hidalgo 2
Páginas: 11 (2664 palabras)
Publicado: 2 de julio de 2015
UNIVERSIDAD CATÓLICA DE SANTIAGO DE GUAYAQUIL
Facultad Técnica para el Desarrollo
N° 4
Circuitos Amplificadores
Fecha realizado 23/06/2015
Profesor: Ing. Luis Palau de La Rosa
Serrano Zambrano Robert
a) Tema: Circuitos amplificadores
b) Objetivos:
Analizar varios circuitos amplificadores en configuración emisor común.
c) Equipos y material utilizado:
Fuentevariable de voltaje
Multímetro digital
Osciloscopio
Elementos varios (resistencias, cable UTP, ProtoBoard, BJTs, capacitores)
d) Marco Teórico:
Transistor
El tamaño de un transistor guarda relación con la potencia que es capaz de manejar.
Símbolo electrónico
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para producir una señal de salida en respuesta a otra señal deentrada. 1 Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término «transistor» es la contracción en inglés de transfer resistor («resistencia de transferencia»). Actualmente se encuentran prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso diario: radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de cuarzo, computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos, teléfonoscelulares, entre otros.
Historia
El transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bell de EE. UU. en diciembre de 1947 por John Bardeen,Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley, quienes fueron galardonados con el Premio Nobel de Física en1956. Fue el sustituto de la válvula termoiónica de tres electrodos, o triodo.
El transistor de efecto de campo fue descubierto antes que eltransistor (1930), pero no se encontró una aplicación útil ni se disponía de la tecnología necesaria para fabricarlos masivamente.
Es por ello que al principio se usaron transistores bipolares y luego los denominados transistores de efecto de campo (FET). En los últimos, la corriente entre el surtidor o fuente (source) y el drenaje (drain) se controla mediante el campo eléctrico establecido en elcanal. Por último, apareció el MOSFET (transistor FET de tipo Metal-Óxido-Semiconductor). Los MOSFET permitieron un diseño extremadamente compacto, necesario para los circuitos altamente integrados (CI).
Hoy la mayoría de los circuitos se construyen con tecnología CMOS. La tecnología CMOS (Complementary MOS ó MOS Complementario) es un diseño con dos diferentes MOSFET (MOSFET de canal n y p), que secomplementan mutuamente y consumen muy poca corriente en un funcionamiento sin carga.
El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con materiales específicos en cantidades específicas) que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que está intercalada entre lasdos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las válvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el diseño de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo, a diferencia de los resistores, condensadores e inductores que son elementos pasivos. Su funcionamiento sólo puede explicarsemediante mecánica cuántica.
De manera simplificada, la corriente que circula por el colector es función amplificada de la que se inyecta en el emisor, pero el transistor sólo gradúa la corriente que circula a través de sí mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la base para que circule la carga por el colector, según el tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificación oganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del transistor. Otros parámetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base, Potencia Máxima, disipación de calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se grafican los distintos parámetros tales como...
Facultad Técnica para el Desarrollo
N° 4
Circuitos Amplificadores
Fecha realizado 23/06/2015
Profesor: Ing. Luis Palau de La Rosa
Serrano Zambrano Robert
a) Tema: Circuitos amplificadores
b) Objetivos:
Analizar varios circuitos amplificadores en configuración emisor común.
c) Equipos y material utilizado:
Fuentevariable de voltaje
Multímetro digital
Osciloscopio
Elementos varios (resistencias, cable UTP, ProtoBoard, BJTs, capacitores)
d) Marco Teórico:
Transistor
El tamaño de un transistor guarda relación con la potencia que es capaz de manejar.
Símbolo electrónico
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para producir una señal de salida en respuesta a otra señal deentrada. 1 Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término «transistor» es la contracción en inglés de transfer resistor («resistencia de transferencia»). Actualmente se encuentran prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso diario: radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de cuarzo, computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos, teléfonoscelulares, entre otros.
Historia
El transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bell de EE. UU. en diciembre de 1947 por John Bardeen,Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley, quienes fueron galardonados con el Premio Nobel de Física en1956. Fue el sustituto de la válvula termoiónica de tres electrodos, o triodo.
El transistor de efecto de campo fue descubierto antes que eltransistor (1930), pero no se encontró una aplicación útil ni se disponía de la tecnología necesaria para fabricarlos masivamente.
Es por ello que al principio se usaron transistores bipolares y luego los denominados transistores de efecto de campo (FET). En los últimos, la corriente entre el surtidor o fuente (source) y el drenaje (drain) se controla mediante el campo eléctrico establecido en elcanal. Por último, apareció el MOSFET (transistor FET de tipo Metal-Óxido-Semiconductor). Los MOSFET permitieron un diseño extremadamente compacto, necesario para los circuitos altamente integrados (CI).
Hoy la mayoría de los circuitos se construyen con tecnología CMOS. La tecnología CMOS (Complementary MOS ó MOS Complementario) es un diseño con dos diferentes MOSFET (MOSFET de canal n y p), que secomplementan mutuamente y consumen muy poca corriente en un funcionamiento sin carga.
El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con materiales específicos en cantidades específicas) que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que está intercalada entre lasdos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las válvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el diseño de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo, a diferencia de los resistores, condensadores e inductores que son elementos pasivos. Su funcionamiento sólo puede explicarsemediante mecánica cuántica.
De manera simplificada, la corriente que circula por el colector es función amplificada de la que se inyecta en el emisor, pero el transistor sólo gradúa la corriente que circula a través de sí mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la base para que circule la carga por el colector, según el tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificación oganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del transistor. Otros parámetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base, Potencia Máxima, disipación de calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se grafican los distintos parámetros tales como...
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