Practica diodos

ESCUELA POLITECNICA DEL EJÉRCITO
Informe Nº 01
Tema: Diodo de unión NP
Alumna:
* Karina Tutillo
Objetivos
* Trazar la curva característica de un diodo de Si y uno de Ge.
*Determinar la variación de la corriente con el incremento de la temperatura.
* Observar la variación de del VF del diodo al variar la fuente alimentación.
Materiales y equipo necesario
* 1 Diodo de Si1N4007
* 1 Diodo de Ge
* 1 Multímetro
* 1 Fuente de tensión variable DC
* 2 resistencias de 470 ohms y 1 K
Desarrollo
1. En primer lugar comprobamos los terminales ánodo y cátododel diodo con la ayuda del multímetro digital, para lo cual colocamos la punta positiva y negativa a cada terminal del diodo, cuando el multímetro marco una tensión valida para los diodos,determinamos que la punta positiva del multímetro estaba conectada al ANODO del diodo y la negativa al CATODO, ya que el diodo solo conduce de positivo a negativo o de ánodo a catado.

Diodo | Tensión Umbral|
Silicio | 0.65V |
Germanio | 0.2535V |

2. Construimos un circuito como se indica en la figura 1, para lo cual utilizamos una fuente de tensión continúa DC de 0-20V, una resistencia de 1KΩy un diodo.


Fig. 1

3. Medimos la caída de tensión sobre el diodo con el objetivo de estudiar el comportamiento del diodo tanto como el de silicio como el de germanio, la medición serealizo al variar el voltaje de la fuente DC de 0-20V.

Tabla del Diodo de Silicio |
VF (V) | 0.451 | 0.465 | 0.50 | 0.55 | 0.60 | 0.65 | 0.7 |
IF (mA) | 0.02 | 0.3 | 0.16 | 0.5 | 1.4 | 4.2 | 12.6|

Tabla del Diodo de Germanio | |
VF (V) | 0.217 | 0.30 | 0.40 | 0.50 | 0.60 | 0.70 | 0.75 | 0.8 |
IF (mA) | 0.28 | 1 | 2 | 3.6 | 5.6 | 7.8 | 9.2 | 10.6 |

4.Para el circuito de la figura 1, con el diodo de Si, se coloco una resistencia de 200Ω, la resistencia fue de un valor bajo ya que lo que se requirió fue que la corriente máxima que recorra el circuito...