PRACTICA DIODOS
Páginas: 2 (497 palabras)
Publicado: 29 de noviembre de 2013
LABORATORIO DE INSTRUMENTACIÓN I.
PRÁCTICA 1. DIODOS.
1.1. INTRODUCCIÓN.
1.1.1. El diodo de Si.
El modelo elemental del diodo, suficiente para las prácticas que se realizarán en ellaboratorio, es el modelo de Shockley, cuya ecuación es:
V
NV
e t − 1 ,
I = IS
donde se han representado con negrilla los parámetros PSPICE del diodo. IS se conoce como
corrienteinversa de saturación y N es el índice de idealidad del diodo. Más detalles sobre el
modelo PSPICE del diodo se pueden encontrar en los apuntes de teoría de la asignatura. En la
ecuación anterior Vt esla tensión térmica, es decir kT/q, que a temperatura ambiente es 0.0258
V.
Tomaremos como ejemplo el diodo 1N4002, que está en la librería EVAL de PSPICE.
Este diodo tiene una corriente inversa desaturación de 14.11 nA y un factor de idealidad de
1.984. Si se trazan las características I-V de este diodo, como casi todos los diodos de Si, se
observará que para corrientes directas la caída enel diodo oscila entre 0.45 V para 0.1 mA y
0.8 V para 0.1 A, es decir varía en 0.35 V cuando la corriente aumenta en tres órdenes de
magnitud.
Sin embargo, en inversa, para potenciales superiores a0.2 V, la corriente queda
limitada al valor de IS, normalmente despreciable. Por esta razón el diodo puede utilizarse
como rectificador, puesto que para polarizaciones positivas deja pasar toda lacorriente con
una caída típica de 0.7 V, mientras que para polarización inversa la corriente es prácticamente
nula.
1.1.2. Rectificación de media onda.
La aplicación más inmediata de un diodoes la rectificación de una señal alterna. Esta
rectificación puede hacerse con diversos propósitos, como es por ejemplo la demodulación de
una señal de radiofrecuencia modulada en amplitud. Sinembargo la aplicación imprescindible
es la rectificación de tensiones alternas para producir la necesaria alimentación de continua de
los aparatos electrónicos.
Supondremos que tenemos que generar...
PRÁCTICA 1. DIODOS.
1.1. INTRODUCCIÓN.
1.1.1. El diodo de Si.
El modelo elemental del diodo, suficiente para las prácticas que se realizarán en ellaboratorio, es el modelo de Shockley, cuya ecuación es:
V
NV
e t − 1 ,
I = IS
donde se han representado con negrilla los parámetros PSPICE del diodo. IS se conoce como
corrienteinversa de saturación y N es el índice de idealidad del diodo. Más detalles sobre el
modelo PSPICE del diodo se pueden encontrar en los apuntes de teoría de la asignatura. En la
ecuación anterior Vt esla tensión térmica, es decir kT/q, que a temperatura ambiente es 0.0258
V.
Tomaremos como ejemplo el diodo 1N4002, que está en la librería EVAL de PSPICE.
Este diodo tiene una corriente inversa desaturación de 14.11 nA y un factor de idealidad de
1.984. Si se trazan las características I-V de este diodo, como casi todos los diodos de Si, se
observará que para corrientes directas la caída enel diodo oscila entre 0.45 V para 0.1 mA y
0.8 V para 0.1 A, es decir varía en 0.35 V cuando la corriente aumenta en tres órdenes de
magnitud.
Sin embargo, en inversa, para potenciales superiores a0.2 V, la corriente queda
limitada al valor de IS, normalmente despreciable. Por esta razón el diodo puede utilizarse
como rectificador, puesto que para polarizaciones positivas deja pasar toda lacorriente con
una caída típica de 0.7 V, mientras que para polarización inversa la corriente es prácticamente
nula.
1.1.2. Rectificación de media onda.
La aplicación más inmediata de un diodoes la rectificación de una señal alterna. Esta
rectificación puede hacerse con diversos propósitos, como es por ejemplo la demodulación de
una señal de radiofrecuencia modulada en amplitud. Sinembargo la aplicación imprescindible
es la rectificación de tensiones alternas para producir la necesaria alimentación de continua de
los aparatos electrónicos.
Supondremos que tenemos que generar...
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