Practica Dispositivos

Gemma Pinar Martínez
Antonio Aroca Ruiz

1.1. Cálculos teóricos.
1. Buscar en los catálogos de los fabricantes, los cuales se pueden obtener desde Internet, las características principales (aplicación o tipo, tensión base emisor en polarización, valor típico de, patillaje, ...) de los transistores Q2N222, Q2N3904,Q2N3906 y BC556.
Q2N222

Q2N3904

Q2N3906

BC556

1. Viendo la ecuación básica de funcionamiento del transistor bipolar en zona activa ¿Qué debemos controlar para fijar la corriente de colector?

Para fijar del colector dependerá de la corriente de base y de la ganancia a la que queremos que funcione el circuito.

3. Suponiendo una configuración en emisor común, con circuitoautopolarizado, ¿en cuál de los siguientes casos se obtiene el valor más grande de IC?:
a) activa directa
b) saturación
c) corte
d) activa inversa
e) ninguna de las anteriores
La opción “a”, porque para que IC sea máxima debe haber amplificación.

4. En el circuito básico de polarización de la Fig. 1.1, determine el punto de trabajo del transistor supuesto un valor de V1 de 0, 2, 3 y 5voltios. Suponga un valor de
β = 250, VBEon = 0,7 V y VCEsat = 0,2 V.

5. En los circuitos de autopolarización de las Fig. 1.2 y Fig. 1.3, determine el punto de trabajo de los transistores suponiendo, en todos los casos, un valor de β = 250, VBEon = 0,7 V y VCEsat = 0,2 V.



6. Considerando un valor de R2 = 1500, vuelva a calcular el punto de trabajo del circuito de la Fig. 1.2,manteniendo el resto de componentes y parámetros en sus valores originales.

1.2 Simulación en Pspice.
1. Simule el circuito de la Fig. 1.1 suponiendo un valor de V1 de 0, 2, 3 y 5 voltios, e indique los valores de tensión VBE y VCE y los valores de corriente IB, IE e IC. El transistor utilizado será el Q2N2222. Supuesta una señal de entrada cuadrada de nivel bajo 0 V,nivel alto 5 V y frecuencia 1 kHz, obtenga la señal entre colector y emisor.





* Para el caso de V1=0 v, el transistor se encuentra en corte porque las corrientes son muy próximas a cero y Vbe=0<0.7.
* En el segundo caso (V1=2 v) tenemos activa directa puesto que Ib=27.95uA>0, Vce=7,79v>0,2v(Vce calculado con la malla de la derecha) yVbe>=0,7v.
* Para V1= 3 v, el transistor lo encontramos en activa directa ya que Ib=48,89uA, Vce=4,69V>0.2v y Vbe>=0.7v
* En el último caso (V1=5v) está en saturación, esto lo comprobamos con Ic<BIb(14,44<182,26*91,12*10^-3), Ib=91,12uA>0,Vce=0,16<0,2 y Vbe>=0,7.
* Los resultados no corresponden exactamente con los obtenidos en los cálculos teóricos puestoque la B del transistor utilizado no son 250 sino 183.

2. Simule los circuitos de las Fig. 1.2 y Fig. 1.3 indicando los valores de tensión VBE y VCE y los valores de corriente IB , IE e IC . El transistor utilizado será el Q2N2222.

VBE= 1.515-4.617*10^-3*180=0,68V y VCE=7,4 v. Por lo que está activa directa.

VBE= 0 y VCE es aproximadamente 12V puesto que las corrientes están muy cercanasa 0 amperios. Por tanto estará en corte.

3. Considerando un valor de R2 = 1500Ω, vuelva a simular y obtener el punto de trabajo del circuito de la Fig. 1.2, manteniendo el resto de componentes y parámetros en sus valores originales.

El circuito está en activa directa porque:
IB=54,94uA>0 A;
VCE=2,24>0,2 V;
VBE>=0,7V.









1.3 Desarrollode la práctica.

1. Una vez que ha comprobado en las hojas de características cuales son las limitaciones eléctricas del transistor Q2N2222, conecte los terminales del transistor al multímetro y compruebe qué valor de β se obtiene. Además:
El valor que hemos obtenido es: β=2,38.

2. Monte el circuito de la Fig. 1.1 y ajuste la tensión de la fuente V1 a 0, 2, 3 y 5 V. Mida las tensiones...