practica electronica analoga


Resumen — Es necesario comprender la aplicación y la caracterización de los transistores Mosfet en circuitos digitales, para esto es necesario primero comprender los circuitos lógicos (compuertas lógicas) y después implementarlas en montajes donde se pudiera comprobar el funcionamiento de dicho transistor, para después obtener su función de transferencia. Realizando diferentes pruebas, convarias entradas se logra obtener el VOH, VIH, VIL y VOL; también, por medio de otros circuitos como el circuito inversor se logró encontrar RON y ROFF; además, se estudió el modelo SCS del Mosfet, del cual se obtuvo la gráfica Id – Vds para la zona de saturación del transistor, la tensión de umbral, la resistencia lineal y la constante característica. Todo lo anterior resulta bastante útil paradeterminar y conocer las características principales de los transistores Mosfet, y así, entender el funcionamiento del transistor para que este pueda ser usado como amplificador.

Abstract — - Is necessary understand the application and the characterization of the Mosfet transistors in digital circuits, for this is necessary first to understand the logic circuits (logic gates) and then implementit in circuits where can be prove the operation of this transistor, and obtain its transfer function. Making different proves, with different entries we can obtain VOH, VIH, VIL y VOL; also through other circuits as the inverter circuit we can found RON y ROFF; also, it where studied de SCS model of the Mosfet, with this can be obtain the Id – Vds graph to the saturation zone, the thresholdvoltage, the linear resistance and the characteristic constant. All of this is very useful to determinate and understand the principal characteristics of Mosfet transistors, and by this way, realize the operation of the transistor to make it an be used as an amplifier.

Key words —MOSFET, True table, logic gate.

I. INTRODUCCIÓN
EL transistor MOSFET (Metal-oxide-semiconductor Field-effecttransistor, el término 'metal' es actualmente incorrecto debido a que el material de la compuerta, que antes era metálico, ahora se construye con una capa de silicio policristalino) es un dispositivo de efecto de campo que utiliza un campo eléctrico para crear una canal de conducción el cual posee cuatro electrodos llamados “fuente” “compuerta” “drenaje” y “sustrato”. Son dispositivos más importantes quelos JFET ya que la mayor parte de los circuitos integrados digitales se construyen con la tecnología MOS. Existen además diversos tipos de transistores entre ellos encontramos que existen dos tipos de transistores MOS: MOSFET de canal N o NMOS y MOSFET de canal P o PMOS. Cada uno de los canales se divide en empobrecimiento y enriquecimiento.
Los transistores de efecto de campo fueron propuestosen 1952 por Schockley y su funcionamiento se basa en el control del paso de la corriente por el campo aplicado a la puerta constituida por una o varias uniones P-N polarizadas en inverso. Seguidamente surge el transistor de efecto de campo de unión metal-oxido-semiconductor), de desarrollo un poco más reciente, en el que el control de la corriente a través del semiconductor se realiza medianteun contacto separado del semiconductor por una capa aislante (normalmente oxido de silicio). Este tipo de transistor tiene un amplio uso actual principalmente en la electrónica digital y en la construcción de circuitos integrados.
II. MARCO Teórico

TRANSISTOR MOSFET

En la siguiente figura se muestra la estructura básica de un transistor tipo MOSFET. Básicamente consiste en una estructura MOSen la cual el electrodo superior, G, depositado sobre la capa aislante actúa como terminal de puerta del transistor. Existen además dos regiones pequeñas de la superficie dopadas fuertemente con impurezas donadoras, situadas a cada lado de la puerta. Sobre cada una de estas regiones o islas tipo n se deposita asimismo un electrodo metálico, formado el contacto de fuente o surtidor, S, y el de...