Practica electronica i

ESCUELA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA I

POLARIZACIONES MIXTAS

1. OBJETIVOS
← Diseñar e implementar polarizaciones mixtas basadas en FET’s y BJT’s.
← Verificar elfuncionamiento de los transistores cuando se conectan en cascada.

2. EQUIPOS Y MATERIALES
• Fuente DC
• Multímetro
• FET’s 2N4091 o similares.
• BJT’s 2N2222A o similares.• Resistores

3. FUNDAMENTOS TEÓRICOS
La curva que involucra el voltaje entre compuerta - fuente y la corriente de drenaje, en un FET, obedece a la ecuación 1:
[pic](1)

Donde IDSS es la corriente de drenaje (ID) cuando el voltaje entre compuerta – fuente (VGS) es cero. Y VP es el voltaje de Pinch o voltaje VGS cuando ID = 0.
Paraque un FET opere en la región activa se debe garantizar:
VP < VDS < VDSMAX

En un BJT, el punto de operación en DC y la β están dados por la ecuación 2:
[pic] [pic](2)

El BJT puede trabajar en la zona de corte, en la zona lineal y en la zona de saturación, dependiendo del punto Q deseado entre cero y uno.
El FET puede trabajar en la zonaohmica o en la zona activa, dependiendo del valor de VDS en comparación con el voltaje de Pinch y el VDSmax.

4. PROCEDIMIENTO

Fig. 1. Circuito de polarización bietapa.

Diseñe el circuito dela figura 1, de tal forma que el FET trabaje en la región activa y además, la potencia disipada por el FET debe ser el (X+25) % de la potencia máxima de disipación; y el BJT debe operar con un QDC de0.6. Asuma lo que requiera para obtener los parámetros de potencia y punto de operación.
X es el último dígito del código del segundo integrante de cada grupo.

Fig. 2. Circuito de polarizaciónmultietapa.

Para el circuito de la figura 2, diseñe e implemente de tal forma que el FET opere en la zona activa y además, la potencia disipada por el FET debe ser de (X+30) % de la potencia máxima...