Practica Sram

Práctica no. 8: La memoria SRAM 6116

PRÁCTICA No. 8
LA MEMORIA SRAM 6116
OBJETIVOS:


Identificar las terminales típicas de una RAM estática (SRAM).



Analizar los ciclos de lectura y escritura de la SRAM 6116.



Manipular adecuamente las líneas de dirección, las líneas de datos y las señales
de control de la SRAM 6116, para escribir y leer datos de una localidad de
memoriaespecífica.

INTRODUCCIÓN:
Las memorias son dispositivos de almacenamientos de datos binarios de largo plazo
(permanente) o corto plazo (temporal). La memoria es un componente fundamental en los
sistemas digitales programables y esta presente en una gran parte de los sistemas
actuales.
Existen en la literatura diversas formas en las que las memorias pueden clasificarse, tal
como losugiere la figura 8.1. De forma general, se puede clasificar en aquellas que tienen
acceso secuencial y las que tienen acceso aleatorio y a partir de ahí, se desprenden todas
las demás variantes.

Figura 8.1 Clasificación de las memorias

E. Romero A – ITSON

Laboratorio de Sistemas Digitales II (plan 2002)

Práctica no. 8: La memoria SRAM 6116

Existen tres parámetros que caracterizan atoda memoria y son:
Capacidad:
Es el número total de localidades que posee una memoria y siempre debe ser un múltiplo
de 2n.
Anchura de la palabra:
Es la cantidad de bits individuales que es capaz de almacenar cada localidad de palabra.
Las anchuras típicas en memorias comerciales son de 4 bits (nibble), 8 bits (byte) y 16
bits (word).
Tiempo de acceso (t acc):
Es el tiempo que tarda unamemoria en entregar un dato válido en su salida. De tal
forma, este parámetro define la rapidez de lectura de la memoria, por ejemplo un
tacc = 200 ns significa que la memoria es capaz de entregarnos hasta 5 millones de datos
en un segundo.

M emorias de acceso aleatorio
Las memorias de acceso aleatorio conocidas como RAM por sus siglas en ingles. Se
caracterizan por ser memorias delectura/escritura y contienen un conjunto de variables
de dirección que permite seleccionar cualquier localidad de memoria en forma directa e
independiente de la posición en la que se encuentra.
Por lo regular estas memorias son volátiles, es decir, que se pierde la información cuando
no hay energía y se clasifican en dos grandes grupos: RAM estáticas (SRAM) y RAM
dinámicas (DRAM. En las SRAM la celdabásica está basada en un FF y en las DRAM las
celdas básicas están construidas con capacitores. En la tabla 8.1 se comparan las
características de ambos tipos de memoria.
Memoria

Ventajas

Desventajas

Menor tiempo de acceso.

SRAM

DRAM

Menor densidad y capacidad

No necesita regenerar su Mayor costo por bit
contenido.
Mayor consumo de potencia
Son más fáciles de usar.Mayor
capacidad
densidad
Menor costo por bit
Menor
consumo
potencia.

Aplicaciones

Memoria cache

y Mayor tiempo de acceso.
Es necesario regenerar
periódicamente su contenido.

Memoria
principal para
PC’s

de Su uso requiere controladores
adicionales.

Tabla 8.1: Resumen comparativo entre las SRAM y DRAM

E. Romero A – ITSON

Laboratorio de Sistemas Digitales II (plan2002)

Práctica no. 8: La memoria SRAM 6116

M ATERIAL Y EQUIPO EMPLEADO
Cantidad

Descripción

1
1
1
2
4
12
4

SRAM 6116
74LS04
74LS244
Conjunto de 8 microinterruptores
Led’s
Resistencias de 1KΩ
Resistencias de 330Ω

1
1
1

“Protoboard”.
Fuente de alimentación de 5 VDC
Probador Lógico.

Pre-reporte:


Leer previamente toda la práctica.



Investigar eldiagrama esquemático de la SRAM a utilizar, así como de su tabla de
verdad y sus diagramas de tiempo para su ciclo de lectura y escritura.

DESARROLLO
1. Proceda a implementar el circuito de la figura 9.3, el cuál nos permitirá experimentar
con la SRAM. Como puede notarse, el cambio de la dirección de memoria, los datos de
entrada y las líneas de control se van a manipular por medio de...