practica tres

 

-OBJETIVO:
Saber cómo están constituidos internamente los circuitos lógico digitales, conocer las respuestas, y saber construir las compuertas, and, or, con componentes electrónicos
Determinar internamente como están constituidos los circuitos integrados para las diversas funciones de ellos
Saber el funcionamiento de las diferentes compuertas que hay para lograr un mejor desempeño paradichas compuertas.





-MARCO TEORICO.
TRANSISTOR
Transistores Bipolares. PNP y NPN
Los transistores son semiconductores que constan de 3 terminales: emisor, colector y base. Aquí tienes imágenes de transistores.

En una de ellas, puedes ver a qué patilla corresponde cada terminal. Hay diferentes tipos de transistores, pero en este curso sólo estudiaremos los bipolares. Dentro deellos, según como sea la conexión de sus componentes, hay dos tipos, los NPN y los PNP. Se simbolizan de la siguiente manera:



El de la izquierda es un transistor NPN y el de la derecha un transistor PNP. En el NPN la flecha que indica el sentido de la corriente sale hacia fuera (la corriente irá de colector a emisor) mientras que en el PNP la flecha entra (la corriente irá de emisor acolector).


CARASTERISTICAS
Dispositivo semiconductor que permite el control y la regulación de una corriente grande mediante una señal muy pequeña. Existe una gran variedad de transistores. En principio, se explicarán los bipolares. Los símbolos que corresponden a este tipo de transistor son los siguientes:


Transistor NPN Estructura de un transistor NPN Transistor PNP Estructura deun transistor PNP

Veremos más adelante como un circuito con un transistor NPN se puede adaptar a PNP. El nombre de estos hace referencia a su construcción como semiconductor.







1. FUNCIONAMIENTO BASICO
Cuando el interruptor SW1 está abierto no circula intensidad por la Base del transistor por lo que la lámpara no se encenderá, ya que, toda la tensión se encuentra entre Colector yEmisor. (Figura 1).

Figura 1 Figura 2
Cuando se cierra el interruptor SW1, una intensidad muy pequeña circulará por la Base. Así el transistor disminuirá su resistencia entre Colector y Emisor por lo que pasará una intensidad muy grande, haciendo que se encienda la lámpara. (Figura 2).
En general: IE < IC < IB ; IE = IB + IC ; VCE = VCB + VBE









2. POLARIZACIÓN DE UNTRANSISTOR
Una polarización correcta permite el funcionamiento de este componente. No es lo mismo polarizar un transistor NPN que PNP.

Polarización de un transistor NPN Polarización de un transistor PNP
Generalmente podemos decir que la unión base - emisor se polariza directamente y la unión base - colector inversamente.
3. ZONAS DE TRABAJO
CORTE.- No circula intensidad por la Base, porlo que, la intensidad de Colector y Emisor también es nula. La tensión entre Colector y Emisor es la de la batería. El transistor, entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor abierto.
IB = IC = IE = 0; VCE = Vbat
SATURACION.- Cuando por la Base circula una intensidad, se aprecia un incremento de la corriente de colector considerable. En este caso el transistor entre Colector y Emisorse comporta como un interruptor cerrado. De esta forma, se puede decir que la tensión de la batería se encuentra en la carga conectada en el Colector.
ACTIVA.- Actúa como amplificador. Puede dejar pasar más o menos corriente.
Cuando trabaja en la zona de corte y la de saturación se dice que trabaja en conmutación. En definitiva, como si fuera un interruptor.
La ganancia de corriente es unparámetro también importante para los transistores ya que relaciona la variación que sufre la corriente de colector para una variación de la corriente de base. Los fabricantes suelen especificarlo en sus hojas de características, también aparece con la denominación hFE. Se expresa de la siguiente manera:
ß = IC / IB
En resumen:
Saturación Corte Activa
VCE ~ 0 ~ VCC Variable
VRC ~ VCC ~ 0...