PRACTICA TRESG33JAR
Páginas: 9 (2123 palabras)
Publicado: 14 de abril de 2015
CIRCUITOS ELECTRÓNICOS ANALÓGICOS
TRANSISTOR BIPOLAR
PRÁCTICA No. 3
OBJETIVOS.- El alumno deberá:
3.1. Identificar las terminales del transistor bipolar.
3.2. Comprobar el efecto transistor
3.3. Medir la corriente de fuga ICBO y su variación con la temperatura.
3.4. Obtener y medir el voltaje de ruptura de la unión base-emisor y de la unión colector-base de un transistor bipolar desilicio.
3.5. Obtener las curvas características de entrada del transistor bipolar en configuración de emisor común.
3.6. Obtener las curvas características de salida del transistor bipolar en configuración de emisor común.
3.7. Contestar y entregar el cuestionario, hacer conclusiones y reportar los datos, gráficas y mediciones llevadas a cabo durante la realización de esta práctica.
EQUIPOMATERIAL
UN OSCILOSCOPIO DE DOBLE TRAZO CON PUNTAS DE PRUEBA
UN TRANSISTOR DE GERMANIO NPN AC127 O EQUIVALENTE.
UN GENERADOR DE FUNCIONES
CUATRO TRANSISTORES DE SILICIO NPN BC547 O EQUIVALENTE.
UN MULTIMETRO ANALÓGICO Y/O DIGITAL
RESISTORES:
CUATRO DE 1KΩ, A 0.5 W.
UNO DE 100KΩ A 0.5W.
UNA FUENTE DE VOLTAJE C.D. (VARIABLE)
JUEGO DE CABLES DE CONEXION CAIMAN-CAIMAN, BANANA-CAIMAN, BANANA-BANANAMINIMO DE 50CM. DE LONGITUD.
UN PROTOBOARD
DESARROLLO DE LA PRÁCTICA
Para el buen desarrollo experimental de esta práctica y la obtención de los objetivos de la misma, será requisito indispensable que el alumno tenga conocimientos sobre los siguientes puntos relacionados con transistores bipolares.
Símbolos, construcción interna, diagrama típico de uniones, modelo matemático, comportamientográfico de entrada y salida, principales parámetros y su definición, circuitos equivalentes, parámetros “h”, polarización típica y bibliografía.
3.1. Identificar las terminales del transistor bipolar.
Existen diversas formas que nos permiten identificar las terminales de un transistor bipolar y si éste es NPN o PNP, sin embargo se recomienda que siempre se consulten las hojas deespecificaciones que proporciona el fabricante y que nos indican como están ubicadas las terminales de emisor, colector y base. En el laboratorio es conveniente comprobar que esta ubicación es correcta y que el dispositivo este en buen estado.
En el caso, en que no se cuente con la información suficiente, mediante algunas mediciones realizadas en el laboratorio, es posible identificar las terminales de lostransistores bipolares y el tipo de transistor NPN o PNP de que se trate.
3.1.1. Usar el multímetro en su función de óhmetro y aplicar la prueba conocida como “prueba del amplificador” e identificar las terminales del transistor.
3.1.1.1. Use un multímetro analógico en su función de óhmetro. Mida el efecto rectificante entre las uniones emisor-base y colector-base para el caso de untransistor NPN, cuando se coloca el positivo de la fuente interna del óhmetro en la base (P) y el negativo en cualquiera de las otras dos terminales deberá medirse baja resistencia, al invertir esta polaridad, la resistencia medida deberá ser alta (use la misma escala del multímetro para la realización de estas pruebas). Entre las terminales de colector-emisor se observará alta resistencia sin importarcomo se coloque la polaridad de las terminales del óhmetro. Con estas mediciones se comprueba la existencia de las uniones rectificantes en el transistor bipolar y el tipo de transistor NPN o PNP. Para distinguir la terminal de colector de la de emisor, será necesario aplicar la “prueba del amplificador” o alguna otra que se proponga.
3.1.1.2. Habiendo identificado la terminal de base de lasotras dos terminales y el tipo de transistor NPN o PNP, la prueba del amplificador consisten en lo siguiente: Para el caso del NPN, conectar el positivo del óhmetro a la terminal que supuestamente es el colector y el negativo al emisor, la lectura que debe aparecer en el óhmetro es de alta resistencia, en seguida hacer contacto con el dedo entre el colector y la base (esto es equivalente a...
TRANSISTOR BIPOLAR
PRÁCTICA No. 3
OBJETIVOS.- El alumno deberá:
3.1. Identificar las terminales del transistor bipolar.
3.2. Comprobar el efecto transistor
3.3. Medir la corriente de fuga ICBO y su variación con la temperatura.
3.4. Obtener y medir el voltaje de ruptura de la unión base-emisor y de la unión colector-base de un transistor bipolar desilicio.
3.5. Obtener las curvas características de entrada del transistor bipolar en configuración de emisor común.
3.6. Obtener las curvas características de salida del transistor bipolar en configuración de emisor común.
3.7. Contestar y entregar el cuestionario, hacer conclusiones y reportar los datos, gráficas y mediciones llevadas a cabo durante la realización de esta práctica.
EQUIPOMATERIAL
UN OSCILOSCOPIO DE DOBLE TRAZO CON PUNTAS DE PRUEBA
UN TRANSISTOR DE GERMANIO NPN AC127 O EQUIVALENTE.
UN GENERADOR DE FUNCIONES
CUATRO TRANSISTORES DE SILICIO NPN BC547 O EQUIVALENTE.
UN MULTIMETRO ANALÓGICO Y/O DIGITAL
RESISTORES:
CUATRO DE 1KΩ, A 0.5 W.
UNO DE 100KΩ A 0.5W.
UNA FUENTE DE VOLTAJE C.D. (VARIABLE)
JUEGO DE CABLES DE CONEXION CAIMAN-CAIMAN, BANANA-CAIMAN, BANANA-BANANAMINIMO DE 50CM. DE LONGITUD.
UN PROTOBOARD
DESARROLLO DE LA PRÁCTICA
Para el buen desarrollo experimental de esta práctica y la obtención de los objetivos de la misma, será requisito indispensable que el alumno tenga conocimientos sobre los siguientes puntos relacionados con transistores bipolares.
Símbolos, construcción interna, diagrama típico de uniones, modelo matemático, comportamientográfico de entrada y salida, principales parámetros y su definición, circuitos equivalentes, parámetros “h”, polarización típica y bibliografía.
3.1. Identificar las terminales del transistor bipolar.
Existen diversas formas que nos permiten identificar las terminales de un transistor bipolar y si éste es NPN o PNP, sin embargo se recomienda que siempre se consulten las hojas deespecificaciones que proporciona el fabricante y que nos indican como están ubicadas las terminales de emisor, colector y base. En el laboratorio es conveniente comprobar que esta ubicación es correcta y que el dispositivo este en buen estado.
En el caso, en que no se cuente con la información suficiente, mediante algunas mediciones realizadas en el laboratorio, es posible identificar las terminales de lostransistores bipolares y el tipo de transistor NPN o PNP de que se trate.
3.1.1. Usar el multímetro en su función de óhmetro y aplicar la prueba conocida como “prueba del amplificador” e identificar las terminales del transistor.
3.1.1.1. Use un multímetro analógico en su función de óhmetro. Mida el efecto rectificante entre las uniones emisor-base y colector-base para el caso de untransistor NPN, cuando se coloca el positivo de la fuente interna del óhmetro en la base (P) y el negativo en cualquiera de las otras dos terminales deberá medirse baja resistencia, al invertir esta polaridad, la resistencia medida deberá ser alta (use la misma escala del multímetro para la realización de estas pruebas). Entre las terminales de colector-emisor se observará alta resistencia sin importarcomo se coloque la polaridad de las terminales del óhmetro. Con estas mediciones se comprueba la existencia de las uniones rectificantes en el transistor bipolar y el tipo de transistor NPN o PNP. Para distinguir la terminal de colector de la de emisor, será necesario aplicar la “prueba del amplificador” o alguna otra que se proponga.
3.1.1.2. Habiendo identificado la terminal de base de lasotras dos terminales y el tipo de transistor NPN o PNP, la prueba del amplificador consisten en lo siguiente: Para el caso del NPN, conectar el positivo del óhmetro a la terminal que supuestamente es el colector y el negativo al emisor, la lectura que debe aparecer en el óhmetro es de alta resistencia, en seguida hacer contacto con el dedo entre el colector y la base (esto es equivalente a...
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