practica

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PRACTICA # 1: TRANSISTORES FET Y
MOSFET
DANIEL AREVALO
darevaloc@est.ups.edu.ec
Ingenieria Electrica/ Universidad Politecnica Salesiana/ Sede Cuenca

Abstract—In this practice we analyzethe behavior, the mathematical answer and is designed and implemented with transistors
FET circuits and different polarizations, we analyze its performance and behavior based on the famous equationshokley that
helps analyze mathematically transistor behaves as it helps to
have several paramatros and criteria to make a comparison with
what happens in reality and decide if calculations are usedto
implement some circuit using FET transistors, with respect to the
MOSFET transistors are presented calculations, mathematical
analyzes their behavior and simulate the circuit, but it is difficultto implement, by its scarcity in the Ecuadorian market.
Index Terms—Transitores FET, Transistores Efecto de campo

I. INTRODUCCION
Los transisitores FET son dispositivos de tres terminales, ensus aplicaciones, muchas pueden parecerse a los transistores
BJT pero hay diferencias mientras el transistor BJT controla
corriente el FET no puede controlar corriente, no es esa su
funcion, ahorasu corriente ID depende de cuanto voltaje de
estrangulamiento tenga osea va a depender del voltaje aplicado
a VGE, estos transistores son llamandos como transistores
“efecto de campo” por la razónque generan un campo electrico que controla la conducción del circuito de polarizacion
esto lo hace independientemente de interferir con el circuito
de entrada o salida. [2], [4]
Al igual que elBJT tiene dos tipos que se derivan por su
construccion tambien existen tipos de FET que son canal P
o canal N esto hace que sea un dispositivo unipolar porque
depende de la cantidad de electrones(canal n) y la cantidad de
huecos (canal p) para poder conducir una de las caracteristicas
mas importantes de FET auqnue no se vea ahora porque razon,
es su alta impedancia de entrada.[2], [4], [1]...