Practica




Instituto Tecnológico de Zacatepec
Departamento de Metal Mecánica
Ingeniería Electromecánica
PERIODO: AGO-DIC 2014


MATERIA: ELECTRÓNICA ANALÓGICA
CLAVE DE LA MATERIA: AEF-1021
M. C. Arturo Javier Martínez Mata
Docente
REPORTE DE PRÁCTICAS CORRESPONDIENTES A LA UNIDAD 2:
5, 6 y7
EQUIPO 20

ALFREDO MEDINA VILLANUEVA (13090099)
DANIEL ULISES LAZARO MARTINEZ (13090491)Fecha de Entrega:
Zacatepec, Morelos a 24de Noviembre de 2014

CONTENIDO
PAG.
Practica 5.-Curva característica del transistor
5.1Objetivo5.2Marco Teórico

5.2.1 Transistor

5.2.2 Zona de saturación

5.2.3 Zona de amplificación

5.2.4 Zona de corte

5.3 Desarrollo

5.3.1 Material

5.3.2 Método

5.3.3 Resultados y datos

5.3.4 Análisis de datos

5.3.5 Conclusiones

5.4 Referencias bibliográficas

Practica 6.- Círculo estable
6.1 Objetivo6.2 Marco teórico
6.2.1 Definición de circuito estable
6.2.2 Relevador
6.3.2 Método
6.3Desarrollo
6.3.1Material
6.3.2 Método
6.3.3 Resultados y datos obtenidos
6.3.4 Conclusiones
6.4 Referencias
Practica 7: Circuito Monoestable
7.1 Objetivo
7.2 Marco teórico
7.2.1 Temporizador
7.2.2Potenciometro
7.2.3 Circuito monoestable
7.2.4 Pulsor
7.3Desarrollo
7.3.1 Material
7.3.2 Método
7.3.3 Resultados obtenidos
7.3.4 Conclusiones
7.4 Referencias bibliográficas







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PRACTICA 5: Curva característica del transistor
5.1 Objetivo: Implementar un circuito con un transistor y medirlos voltajes de las resistencias y el voltaje de colector-emisor.
5.2 Marco teórico
5.2.1Transistor: es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar una señal de salida en respuesta a una señal de entrada. Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.
5.2.2 Zona de saturación: cuando la corriente en la base es muy alta; en ese caso se permite lacirculación de corriente entre el colector y el emisor y el transistor se comporta como si fuera un interruptor cerrado.
5.2.3 Zona de amplificación: En este caso el transistor funciona como un amplificador que nos proporciona entre el colector y el emisor un múltiplo de la corriente que pasa por la base.
5.2.4 Zona de corte: Cuando no pasa corriente por la base, no puede pasar tampoco por susotros terminales.





5.3 Desarro
5.3.1 Material:
-Transistor Bc548 y TIP122 -Resistencias -Fuente de voltaje

-Multímetro -Protoboard


5.3.2 Método
Paso 1: colocamos eltransistor Bc548 en el protoboard, identificamos sus terminales.
Paso 2: la terminal del colector se conecta una resistencia de 2k, está a su vez se conecta a una fuente de 12v.
Pasó 3: se conecta una resistencia a la terminal de base, el valor de la resistencia va a variar de 1k, 10k, 100k y 470k, esta parte se conecta a una fuente de 5v.
Paso 4: medir con el multímetro el voltaje de laresistencia RB, RC y de las terminales emisor y colector. La corriente IB e IC se calculan a partir de los voltajes.




Paso 5: se repiten todos los pasos anteriores pero ahora para el transistor TIP122
5.3.3 Resultados y datos obtenidos
Bc548
RB
VRB
IB
VRC
IC
VCE
Beta
1k
5.90v
5.2 mA
8.45v
18.4mA...