practica



Secretaria de Educación Pública
Dirección General de Educación Superior Tecnológica
INSTITUTO TECNOLOGICO DE VERACRUZ

PRACTICA #4

PROPIEDADES DE LA FOTORESISTENCIA

OPTOELECTRONICAGRUPO: 13:00 a 14:00 (8F4A)

EQUIPO #1
CARRILLO GARCIA VICTOR
MOLINA REYNA ALEXIS
RAMIREZ RAMOS LIDIA DEL CARMEN
RAMOS MIRANDA DIANA IYANÚ

ASESOR:
ING. MIGUEL VALERIO CANALESH. VERACRUZ, VER. 27 DE OCTUBRE DE 2014
HOJA DE EVALUACION
PRACTICA No. 4
PROPIEDADES DE LA FOTORESISTENCIA

Objetivo:
Una vez completada la práctica, el alumno estará familiarizado con la estructura, características y funcionamiento de las fotorresistencias para poder idear e implementar diversas aplicaciones
Procedimientos:
4.1.-Medición de la Fotorresistencia en función de la intensidad de la luz.
4.2.- Conmutación: Oscuridad-Iluminación, (examinar la respuesta característica da la fotorresistencia pasando de una condición extrema a otra)
4.3.- Demostrar la operación de la fotorresistencia empleada en circuitos de aplicación prácticos (Explicar el comportamiento, y comprobar con cálculos).
Alumnos
4.1
4.2
4.3Calificación
Total.



a
b
c

Carrillo Garcia Victor






Molina Reyna Alexis






Ramírez Ramos Lidia del Carmen






Ramos Miranda Diana Iyanú









PRACTICA No. 4
PROPIEDADES DE LA FOTORESISTENCIA



Objetivo:
Una vez completada la práctica, el alumno estará familiarizado con la estructura, características y funcionamiento de las fotorresistenciaspara poder idear e implementar diversas aplicaciones.


Material:
Fuente de alimentación
R4 Potenciómetro 10 K
Multimetro
R5 Resistencia 1 K
Osciloscopio
R6 Resistencia 4.7 K
Generador de funciones
R7 Resistencia 510 
L1 Fuente luminosa (según sensibilidad de la Fotorresistencia )
Led rojo
FR1 Fotorresistencia (1 K a 500 K)
Diodo
R1 Resistencia 1 K
Transistor
R2Resistencia 100 
Protoboard
R3 Resistencia 4.7 K



Procedimientos:
4.1 .- Medición de la Fotorresistencia en función de la intensidad de la luz.


4.2 .- Conmutación: Oscuridad-Iluminación, (examinar la respuesta característica da la fotorresistencia pasando de una condición extrema a otra)


4.3 .- Demostrar la operación de la fotorresistencia empleada en circuitos de aplicación prácticos(Explicar el comportamiento, y comprobar con cálculos).




ANTECEDENTES

Los detectores fotónicos son los más utilizados en los sistemas de comunicaciones, y como ya se ha dicho, están basados en la capacidad de ionización de un material semiconductor, de forma que los diferentes dispositivos que veremos no son más que variaciones de este mismo principio.
Constituye el caso más simplede la aplicación de materiales semiconductores a la detección de radiación óptica, pues consiste simplemente en la absorción de luz por parte de un trozo de semiconductor con contactos eléctricos. Cuando un fotón alcanza al semiconductor y es absorbido, se produce la generación de un par eh. La influencia del campo eléctrico que hay entre los contactos provoca la migración de electrones y huecoshacia ellos, con lo que se produce un cambio en la resistencia del material en función de la cantidad de luz que reciben, es decir, su conductividad aumenta proporcionalmente al flujo de electrones recibido, con lo que se obtiene una fotocorriente medible en el circuito. Con este tipo de fotodetectores se puede registrar esa fotocorriente o bien medir la caída de tensión en una resistencia de...