Practica2 diodos rectificadores

PRACTICA #2 DIODOS RECTIFICADORES.
OBJETIVOS:
El alumno deberá:
Identificar el comportamiento rectificante en un diodo y el comportamiento óhmico en un resistor.
Identificar el ánodo (región P) y el cátodo ( región N) en un diodo rectificador.
Obtener y comparar las curvas características (V-1) de diodos rectificadores de silicio y germanio. En cada caso, determinar el valor del voltaje delumbral y calcular las resistencias estática y dinámica en la región directa de conducción, para un punto de operación Q (Vp,Ip) arbitraria.
Observar y reportar las variaciones que se presentan en la curva característica V-1, en el voltaje de umbral y en la corriente de fuga de los diodos rectificadores cuando varia la temperatura.
MATERIAL REQUERIDO.
2 diodos de silicio 1N4004 o similar.
2diodos de germanio 0A81 o similar.
2 resistores de 1 2 resistores de 1k ohm a 0.5 watts.
DESARROLLO EXPERIMENTAL
Identificar el comportamiento rectificante de un diodo y el comportamiento óhmico de un resistor.
Armar el circuito mostrado en la figura. Colocar primero el diodo rectificador y observar el comportamiento de este elemento en el osciloscopio ( en el modo XY) y dibujar la grafica quese obtiene.

Ma
Identificar el ánodo (región P) y el cátodo (región P) en un diodo rectificador.
Para la identificación de las terminales de un diodo rectificador, se pueden emplear diferentes métodos, se sugiere que se haga usando un óhmetro analógico y se llene la tabla2.1.
Medición de resistencia en un diodo de silicio y uno de germanio polarizado directa e inversamente usando la pila interna del óhmetro.
DIODO | RESISTENCIA MEDIDA ENTRE LAS TERMINALES A(+) Y K(-) | RESISTENCIA MEDIDA ENTRE LAS TERMINALES A(-) Y K(+) |
SILICIO 1N4004 O EQUIVALENTE | 1.3 MΩ | 5.4KΩ |
GERMANIO OA81 O EQUIVALENTE | ∞ | ∞ |

* Mediante lasmediciones reportadas en la tabla 2.1 diga, ¿ cual de las terminales (T1, T2) corresponde al catodo y cual al anodo?
* En la figura 2.3, dibuje con detalle la forma física y las indicaciones (con letra, numero, rayas, etc.) de cada uno de los diodos, indicando cual de las terminales es el ánodo y el cátodo.
* Fig. 2.3 dibuje la representación física e indicaciones de los diodos 1N4004 y 0A81.A K A K
   IN4004 0A81
2.4. obtener y comparar la curva característica (V-1) de un diodo de silicio y uno de germanio. En cada caso determinar elvoltaje de umbral y calcular la resistencia estática y dinámica en la región directa de conducción para un punto de operación Q(Vd, Id) arbitrario.

Armar el circuito de la figura 2.4 colocar las terminales de osciloscopio como se muestra (usándolo en su modo XY) y obtener la curva característica V-1, de los diodos e silicio y germanio, reporta ambas graficas en la figura 2.5 y llenar la tabla 2.3con los datos solicitados.

mA
 
 
 
 
 
 
a) Curva característica V-I, diodo b) Curva característica V-I, diodo de Ge

DIODO BAJO PRUEBA | VOLTAJE DE UMBRAL MEDIDO EN (V) | VOLTAJE MAXIMO MEDIDO EN LA CURVA EN (v) | CORRIENTE MAXIMA MEDIDA EN LA CURVA EN (mA) |Silicio 1N4004 | .44v | .55 v | 9.6 mA |
Germanio 0A81 | .22v | .35 v | 8.4 mA |

2.5. Observar y reportar las variaciones que se presentan en la curva característica, en el voltaje de umbral y en la corriente de fuga de los diodos rectificadores cuando aumenta la temperatura ambiente.
Para el diodo de silicio aumente la temperatura ambiente acercando el cerillo encendido el tiempo que sea...