practicas con mosfet
Páginas: 2 (386 palabras)
Publicado: 11 de mayo de 2014
Instituto Politécnico Nacional
Escuela Superior de Ingeniería Mecánica y Eléctrica
Unidad Zacatenco
Ingeniería en Comunicaciones y Electrónica
Laboratorio de Electrónica DigitalPractica
“MOSFET”
-Determinacion de Vth(voltaje de umbral)
-Cálculo de Kn
-Activacion de Relevador
-Activacion de Motor
Presenta:
Pepito
Introducción
El transistor de efecto de campometal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en laindustria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales, aunque el transistor de unión bipolar fue mucho más popular en otro tiempo. Prácticamente la totalidad de los microprocesadorescomerciales están basados en transistores MOSFET.
El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados surtidor (S), drenador (D), compuerta (G) y sustrato (B). Sin embargo, el sustratogeneralmente está conectado internamente al terminal del surtidor, y por este motivo se pueden encontrar dispositivos MOSFET de tres terminales.
Un transistor de efecto de campo de compuerta aislada oIGFET (Insulated-gate field-effect transistor) es un término relacionado que es equivalente a un MOSFET. El término IGFET es más inclusivo, ya que muchos transistores MOSFET utilizan una compuerta que noes metálica, y un aislante de compuerta que no es un óxido. Otro dispositivo relacionado es el MISFET, que es un transistor de efecto de campo metal-aislante-semiconductor(Metal-insulator-semiconductor field-effect transistor).
Objetivo.
Concluir la práctica armando circuitos a base del MOSFET, los circuitos deben de ser de aplicación práctica, y realizar los cálculos pertinentes paraestos.
Material
-Protoboard
-Multimetro
-IRF610
-Fuentes de CD
-R100
-Motor
-Relevador
1.- Para inicio de la práctica se debe encontrar el voltaje de umbral Vth y Kn
Se encontró que el...
Instituto Politécnico Nacional
Escuela Superior de Ingeniería Mecánica y Eléctrica
Unidad Zacatenco
Ingeniería en Comunicaciones y Electrónica
Laboratorio de Electrónica DigitalPractica
“MOSFET”
-Determinacion de Vth(voltaje de umbral)
-Cálculo de Kn
-Activacion de Relevador
-Activacion de Motor
Presenta:
Pepito
Introducción
El transistor de efecto de campometal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en laindustria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales, aunque el transistor de unión bipolar fue mucho más popular en otro tiempo. Prácticamente la totalidad de los microprocesadorescomerciales están basados en transistores MOSFET.
El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados surtidor (S), drenador (D), compuerta (G) y sustrato (B). Sin embargo, el sustratogeneralmente está conectado internamente al terminal del surtidor, y por este motivo se pueden encontrar dispositivos MOSFET de tres terminales.
Un transistor de efecto de campo de compuerta aislada oIGFET (Insulated-gate field-effect transistor) es un término relacionado que es equivalente a un MOSFET. El término IGFET es más inclusivo, ya que muchos transistores MOSFET utilizan una compuerta que noes metálica, y un aislante de compuerta que no es un óxido. Otro dispositivo relacionado es el MISFET, que es un transistor de efecto de campo metal-aislante-semiconductor(Metal-insulator-semiconductor field-effect transistor).
Objetivo.
Concluir la práctica armando circuitos a base del MOSFET, los circuitos deben de ser de aplicación práctica, y realizar los cálculos pertinentes paraestos.
Material
-Protoboard
-Multimetro
-IRF610
-Fuentes de CD
-R100
-Motor
-Relevador
1.- Para inicio de la práctica se debe encontrar el voltaje de umbral Vth y Kn
Se encontró que el...
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