Practicas De Electronica Con Fet. 2N5457

Departamento De Ingeniería Eléctrica Y Electrónica

Electrónica Analógica
Clave: AEF-1021

Unidad II- Transistores (FET’s)
“Reportes De Practicas”

Catedrático- Ing. Gustavo Chávez Orendai Alumnos: Carlos Vicente Martínez Vázquez Licea Alcaraz Carlos Ariel Rojas Rivera Marcos Adrián

Cd. Guzmán Jal.

4 De junio Del 2012

Contenido

Aspectos Teóricos Practica Nº 1
La corriente(IDss)

Voltaje de apagado (Vp) Practica Nº 2
Circuito de polarización fija

Practica Nº3
Circuito con resistencia de auto polarización

Practica Nº4
Polarización por divisor de voltaje

Aspectos Teóricos

Introducción (FET’s) Los transistores más conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados así porque la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores dedos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su impedancia de entrada bastante baja. Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece a la familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de cargas, y por tanto,son unipolares. Se llama transistor de efecto campo. El transistor de efecto campo o FET es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un canal en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por Voltaje. Los transistores de efecto de campo o FET más conocidos son los JFET (Junction FieldEffect Transistor, tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta es la terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente. Así como los transistores bipolares se dividen enNPN y PNP, los de efecto de campo o FET son también de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicación de una tensión positiva en la puerta pone al transistor en estado de conducción o no conducción, respectivamente. Los transistores de efecto de campo MOS son usados extensísimamente en electrónica digital, y son el componente fundamental de los circuitos integrados o chips digitales.Canal P

Canal N

Explicación de la combinación de portadores .
Puesto que hay una tensión positiva entre el drenador y el surtidor, los electrones fluirán desde el surtidor al drenador (o viceversa según la configuración del mismo), aunque hay que notar que también fluye una corriente despreciable entre el surtidor (o drenador) y la puerta, ya que el diodo formado por la unión canal –puerta, esta polarizado inversamente. En el caso de un diodo polarizado en sentido inverso, donde inicialmente los huecos fluyen hacia la terminal negativa de la batería y los electrones del material N, fluyen hacia el terminal positivo de la misma. Lo anteriormente dicho se puede aplicar al transistor FET, en donde, cuando se aumenta VDS aumenta una región con empobrecimiento de cargas libresCuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado, así como el esquema de identificación de los terminales. También tendremos que conocer una serie de valores máximos de tensiones, corrientes y potencias que no debemos sobrepasar para no destruir el dispositivo. El parámetro de la potencia disipada por el transistor es especialmente crítico con la temperatura, de modoque esta potencia decrece a medida que aumenta el valor de la temperatura, siendo a veces necesaria la instalación de un radiador o aleta refrigeradora. Todos estos valores críticos los proporcionan los fabricantes en las hojas de características de los distintos dispositivos.

Explicación de sus elementos o terminales.
Un transistor de efecto campo (FET) típico está formado por una barrita de...