practicas FET, Mosfet y triac

Practica FET

Objetivo de la practica:
Utilizar un MOSFET como interruptor utilizando un led como indicador
Material utilizado:
1.- 1 switch normalmente cerrado
2.- 1 resistencia de 100 Ω
3.- 1 resistencia de 1K Ω
4.- 1 un diodo emisor de luz
5.- 1 MOSFET canal N

Circuito eléctrico:


MEDICIONES
ON
OFF
VGS
4.5V
OV
VDS
0.2V
3.7V
VL
2.8V
2.2V
ID
5.5mA
2.3mA
IS4.0mA
0.0mA
IG
40mA
0.0mA
Proyecto FET control de velocidad
Objetivo de la practica:
Poder controlar la velocidad de un motor de 5v para que valla a la velocidad deseada por un JFET
Componentes:
--LM555.
--1 potenciometro 50K Ohmios.
--2 diodos 1N4148.
--3 capacitores 100nF.
--1 diodo 1N4007.
--1 resistencia 100 Ohmios 1/4 Watt.
--1 transistor Mosfet IRF830 ó IRFZ44N
--1resistencia 330 Ohmios 1/4 W

Conclusión
El control de velocidad es un instrumento que se utiliza para ajustar la fuerza de un motor, tal como pudiese un carro de control remoto o cualquier otro aparato que ocupe de regular la velocidad de un motor.
El FET es una parte importante dentro del mecanismo de control de velocidad de un instrumento, que se utiliza para la regulación de corrientes y voltajes.FET
El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en inglés) es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial.
La mayoria de los FET están hechosusando las técnicas de procesado de semiconductoreshabituales, empleando la oblea monocristalina semiconductora como la región activa o canal. La región activa de los TFT (thin-film transistor, o transistores de película fina) es una película que sedeposita sobre un sustrato (usualmente vidrio, puesto que la principal aplicación de los TFT es como pantallas de cristal líquido o LCD).
Los transistoresde efecto de campo o FET más conocidos son los JFET (Junction Field Effect Transistor), MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET) y MISFET (Metal-Insulator-Semiconductor FET).
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta es la terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado portensión, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.
El funcionamiento del transistor de efecto de campo es distinto al del BJT. En los MOSFET, la puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT, donde la corriente que atraviesa la base, pese a ser pequeña en comparación con la que circula por las otras terminales, no siempre puedeser despreciada. Los MOSFET, además, presentan un comportamiento capacitivo muy acusado que hay que tener en cuenta para el análisis y diseño de circuitos.
Así como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o FET son también de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicación de una tensión positiva en la puerta pone al transistor en estado deconducción o no conducción, respectivamente. Los transistores de efecto de campo MOS son usados extensísimamente en electrónica digital, y son el componente fundamental de los circuitos integrados o chips digitales.

P-channel

N-channel
Símbolos esquemáticos para los JFETs canal-n y canal-p. G=Puerta(Gate), D=Drenador(Drain) y
S=Fuente(Source).
CARACTERISTICAS
Tiene una resistencia de entradaextremadamente alta (casi 100MΩ).
No tiene un voltaje de unión cuando se utiliza como conmutador (interruptor).
Hasta cierto punto es inmune a la radiación.
Es menos ruidoso.
Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad térmica










CUESTIONARIO FET
1.- ¿Qué significa fet?
Transistor de efecto de campo
2.- ¿cual es el funcionamiento que uso el fet?
Es utilizado...